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Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 4 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 6400 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 CMTI (min) (V/µs) 50000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.14 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.00475 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 0.12 Creepage (min) (mm) 3.7 Clearance (min) (mm) 3.7
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 4 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 6400 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 CMTI (min) (V/µs) 50000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.14 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.00475 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 0.12 Creepage (min) (mm) 3.7 Clearance (min) (mm) 3.7
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 超低功耗
    • 每通道静态电流为 4.8µA (3.3V)
    • 100kbps 时的每通道电流为 15µA (3.3V)
    • 1Mbps 时的每通道电流为 120µA (3.3V)
  • 稳健可靠的隔离栅
    • 预计寿命超过 100 年
    • 隔离额定值为 3000VRMS
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 小型 8-SOIC 封装 (8-D)
  • 信令速率:最高 4Mbps
  • 默认输出高电平 (ISO7021) 和低电平 (ISO7021F) 选项
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 超低辐射
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 GB 4943.1
    • IECEx(IEC 60079-0 和 IEC 60079-11)和 ATEX(EN IEC60079-0 和 EN 60079-11)
  • 超低功耗
    • 每通道静态电流为 4.8µA (3.3V)
    • 100kbps 时的每通道电流为 15µA (3.3V)
    • 1Mbps 时的每通道电流为 120µA (3.3V)
  • 稳健可靠的隔离栅
    • 预计寿命超过 100 年
    • 隔离额定值为 3000VRMS
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 小型 8-SOIC 封装 (8-D)
  • 信令速率:最高 4Mbps
  • 默认输出高电平 (ISO7021) 和低电平 (ISO7021F) 选项
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 超低辐射
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 GB 4943.1
    • IECEx(IEC 60079-0 和 IEC 60079-11)和 ATEX(EN IEC60079-0 和 EN 60079-11)

ISO7021 器件是一种可用于隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的超低功耗多通道 数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。基于边缘的创新架构与开关键控调制方案相结合,使这些隔离器具有非常低的功耗,同时符合 UL1577 规定的 3000VRMS 隔离额定值。该器件的每通道动态电流消耗低于 120µA/Mbps ,并且 3.3V 时每通道静态电流消耗为 4.8µA ,从而允许在功耗和热性能受限的系统设计中使用 ISO7021。

该器件可在低至 1.71V 和高达 5.5V 的电压下工作,并可在隔离栅的每一侧采用不同电源电压的情况下实现完整功能。双通道隔离器采用窄体 8-SOIC 封装,具有一个正向通道和一个反向通道。该器件具有默认输出高电平和低电平选项。如果输入功率或信号出现损失,不具有 F 后缀的 ISO7021 器件 默认输出高电平,具有 F 后缀的 ISO7021F 器件默认输出低电平。请参阅器件功能模式 部分以了解详情。

ISO7021 器件是一种可用于隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的超低功耗多通道 数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。基于边缘的创新架构与开关键控调制方案相结合,使这些隔离器具有非常低的功耗,同时符合 UL1577 规定的 3000VRMS 隔离额定值。该器件的每通道动态电流消耗低于 120µA/Mbps ,并且 3.3V 时每通道静态电流消耗为 4.8µA ,从而允许在功耗和热性能受限的系统设计中使用 ISO7021。

该器件可在低至 1.71V 和高达 5.5V 的电压下工作,并可在隔离栅的每一侧采用不同电源电压的情况下实现完整功能。双通道隔离器采用窄体 8-SOIC 封装,具有一个正向通道和一个反向通道。该器件具有默认输出高电平和低电平选项。如果输入功率或信号出现损失,不具有 F 后缀的 ISO7021 器件 默认输出高电平,具有 F 后缀的 ISO7021F 器件默认输出低电平。请参阅器件功能模式 部分以了解详情。

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设计和开发

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评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

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TI.com 上无现货
评估板

ISO7041DBQEVM — 采用 DBQ 封装的 ISO7041 低功耗四通道数字隔离器评估模块

ISO7041DBQEVM 是一款用于评估采用 16 引脚 SSOP 封装(封装代码 - DBQ)的低功耗四通道数字隔离器 ISO7041 的评估模块。此 EVM 具有足够多的测试点、跳线选项以及电流检测功能,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
用户指南: PDF
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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