TLV3012B-Q1
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 低静态电流：3.1µA（最大值，“B”版本）
- 集成电压基准：1.242 V
- 输入共模范围：超过电源轨 200mV
- 电压基准初始精度：1%
- 失效防护输入（“B”版本）
- 上电复位（“B”版本）
- 集成迟滞（“B”版本）
-
开漏输出选项 (TLV3011x -Q1)
-
推挽输出选项 (TLV3012x -Q1)
-
快速响应时间：6uS
- 低电源电压 = 1.65V 至 5.5V（“B”版本）
TLV3011 -Q1 是一款低功耗、开漏输出比较器；TLV3012 -Q1 是一款推挽输出比较器。这两款器件均具有非限定的片上电压基准，静态电流为 5µA（最大值），输入共模范围超出电源轨 200mV，单电源电压范围为 1.8V 至 5.5V。集成的 1.242V 系列电压基准提供 100ppm/°C（最大值）的低温漂，在高达 10nF 的容性负载下保持稳定，并且可以提供高达 0.5mA（典型值）的输出电流。
TLV3011B -Q1 和 TLV3012B -Q1“B”版本添加了上电复位 (POR)、失效防护输入、内置迟滞、1.65V 的较低最小电源电压和 3.1µA 的最大静态电流。
该系列采用微型 SOT23-6 和 SC-70 两种封装，前者可实现节省空间的设计，后者可进一步节省电路板面积。所有版本的额定工作温度范围均为 –40°C 至 +125°C。
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功能与比较器件相同，且具有相同引脚
技术文档
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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| * | 数据表 | TLV3011-Q1、TLV3012-Q1、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1 具有集成 1.24V 电压基准的低功耗比较器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 4月 28日 |
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设计和开发
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- D (SOIC-8)
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- DGK (VSSOP-8)
- DBV（SOT23-5 和 SOT23-6）
- DCK（SC70-5 和 SC70-6）
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DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
- DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
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需要 HSpice (...)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
| SOT-SC70 (DCK) | 6 | Ultra Librarian |
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