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TMUX1102

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3pA 导通状态漏电流、5V、1:1 (SPST)、单通道精密开关（低电平有效）

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 1.2, 1.8, 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 2 CON (typ) (pF) 18 ON-state leakage current (max) (µA) 0.002 Supply current (typ) (µA) 0.003 Bandwidth (MHz) 300 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make, Fail-safe logic Input/output continuous current (max) (mA) 30 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 1.2, 1.8, 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 2 CON (typ) (pF) 18 ON-state leakage current (max) (µA) 0.002 Supply current (typ) (µA) 0.003 Bandwidth (MHz) 300 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make, Fail-safe logic Input/output continuous current (max) (mA) 30 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1
  • 宽电源电压范围：1.08V 至 5.5V
  • 低漏电流：3pA
  • 低电荷注入：-1.5pC
  • 低导通电阻：1.8Ω
  • –40°C 至 +125°C 的工作温度
  • 兼容 1.8V 逻辑电平
  • 失效防护逻辑
  • 轨到轨运行
  • 双向信号路径
  • 先断后合开关
  • ESD 保护 HBM：2000V
  • 宽电源电压范围：1.08V 至 5.5V
  • 低漏电流：3pA
  • 低电荷注入：-1.5pC
  • 低导通电阻：1.8Ω
  • –40°C 至 +125°C 的工作温度
  • 兼容 1.8V 逻辑电平
  • 失效防护逻辑
  • 轨到轨运行
  • 双向信号路径
  • 先断后合开关
  • ESD 保护 HBM：2000V

TMUX1101 和 TMUX1102 是精密互补金属氧化物半导体 (CMOS) 单极单投 (SPST) 开关。1.08V 至 5.5V 的宽工作电源电压范围使得这些器件适用于从医疗设备到工业系统的各种应用。这些器件支持源极 (S) 和漏极 (D) 引脚上 GND 到 VDD 范围的双向模拟和数字信号。

逻辑控制输入 (SEL) 具有兼容 1.8V 逻辑电平的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时，该阈值可确保 TTL 和 CMOS 的逻辑兼容性。SEL 为逻辑 1 时，TMUX1101 的开关打开，而 SEL 为逻辑 0 时，TMUX1102 打开。失效防护逻辑电路要求先在 SEL 引脚上施加电压，然后在电源引脚上施加电压，从而保护器件免受潜在的损害。

TMUX110x 器件是精密开关和多路复用器器件系列中的一部分。这些器件具有非常低的导通和关断漏电流以及较低的电荷注入，因此可用于高精度测量应用。3nA 的低电源电流和小型封装选项使其可用于便携式

TMUX1101 和 TMUX1102 是精密互补金属氧化物半导体 (CMOS) 单极单投 (SPST) 开关。1.08V 至 5.5V 的宽工作电源电压范围使得这些器件适用于从医疗设备到工业系统的各种应用。这些器件支持源极 (S) 和漏极 (D) 引脚上 GND 到 VDD 范围的双向模拟和数字信号。

逻辑控制输入 (SEL) 具有兼容 1.8V 逻辑电平的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时，该阈值可确保 TTL 和 CMOS 的逻辑兼容性。SEL 为逻辑 1 时，TMUX1101 的开关打开，而 SEL 为逻辑 0 时，TMUX1102 打开。失效防护逻辑电路要求先在 SEL 引脚上施加电压，然后在电源引脚上施加电压，从而保护器件免受潜在的损害。

TMUX110x 器件是精密开关和多路复用器器件系列中的一部分。这些器件具有非常低的导通和关断漏电流以及较低的电荷注入，因此可用于高精度测量应用。3nA 的低电源电流和小型封装选项使其可用于便携式
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* 数据表 TMUX110x 5V、低漏电流、1:1 (SPST) 精密开关 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 2月 20日
应用手册 选择正确的米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 信号开关 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2022年 8月 5日
应用手册 多路复用器和信号开关词汇表 (Rev. B) 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 3月 11日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
  • DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
  • DCK（SC70-6 和 SC70-5）
  • DRL (SOT563-6)
用户指南: PDF
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接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 用于快速测试 TI 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADED1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间，可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
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接口适配器

LEADLESS-ADAPTER1 — 用于测试 TI 6、8、10、12、14、16 和 20 引脚无引线封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADLESS1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间，可将 TI 的 DRC、DTP、DQE、RBW、RGY、RSE、RSV、RSW、RTE、RTJ、RUK、RUC、RUG、RUM、RUT 和 YZP 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。
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仿真模型

TMUX1102 IBIS Model

SCDM225.ZIP (8 KB) - IBIS Model
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参考设计

TIDA-010271 — Stackable battery management unit reference design for energy storage systems

This is a full cell-temperature sensing and high cell voltage accuracy Lithium-ion (Li-ion), lithium iron phosphate (LiFePO4) battery pack (32s) reference design. The design monitors each cell voltage, cell temperature and protects the battery pack to secure safe use. This design uses onboard and (...)
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 5 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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