1 特性

• 同步降压控制器 (VDDQ)
  • 转换电压范围：3V 至 28V
  • 输出电压范围：0.7V 至 1.8V
  • 0.8% V_REF精度
  • D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
  • 可选 500kHz/670kHz 开关频率
  • 自动跳频功能优化了轻负载和重负载时的效率
  • 支持 S4/S5 状态中的软启动
  • 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
  • 电源正常输出
• 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
  • 2A（峰值）灌电流和拉电流
  • 只需 10μF 陶瓷输出电容器
  • 经缓冲的，低噪声，10mA VTTREF 输出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
  • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭
• 热关断
• 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装

2 应用

• DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存电源
• SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 终端

3 说明

TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作频率的 D-CAP2 模式，此模式可在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT ，而且只需 10μF 的陶瓷电容。此外，该器件还 具有 专用 LDO 电源输入。

TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放电（软关闭）。它包括具有低侧 MOSFET R_{DS（接通）}感测的可编程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。

TI 的 TPS51716 采用 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装，且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。

1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

框图

4 修订历史记录

Changes from * Revision (October 2012) to A Revision

• 添加了 ESD 额定值 表、详细 说明部分，应用和实施部分，电源相关建议部分，布局部分，器件和文档支持部分以及机械、封装和可订购信息部分Go
• 将标题从“完整 DDR2、DDR3、DDR3L 和 LPDDR3 内存电源解决方案”更新为“完整 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存电源解决方案”Go
• 在应用 列表中将“DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3 内存电源”更改为“DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存电源”Go