TPS51716
- 同步降压控制器 (VDDQ)
- 转换电压范围：3V 至 28V
- 输出电压范围：0.7V 至 1.8V
- 0.8% VREF精度
- D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
- 可选 500kHz/670kHz 开关频率
- 自动跳频功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4/S5 状态中的软启动
- 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
- 电源正常输出
- 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
- 2A（峰值）灌电流和拉电流
- 只需 10µF 陶瓷输出电容器
- 经缓冲的，低噪声，10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭
- 热关断
- 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作频率的 D-CAP2 模式，此模式可在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT ，而且只需 10µF 的陶瓷电容。此外，该器件还 具有 专用 LDO 电源输入。
TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放电（软关闭）。它包括具有低侧 MOSFET RDS（接通）感测的可编程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。
TI 的 TPS51716 采用 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装，且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。
技术文档
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| * | 数据表 | 具有同步降压控制器、2A LDO 和缓冲基准的 TPS51716 完整 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存电源解决方案 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2017年 11月 2日 |
| 应用手册 | PC 应用中 Tiger Lake 的非隔离式负载点解决方案 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2021年 8月 12日 | |
| 选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
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设计和开发
电源解决方案
了解包含 TPS51716 的解决方案。TI 提供适用于 TI 和非 TI 片上系统 (SoC)、处理器、微控制器、传感器和现场可编程门阵列 (FPGA) 的电源解决方案。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN (RUK) | 20 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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