ZHCSCW3A July 2014 – May 2017 CSD75208W1015
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 双路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
2 应用
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
3 说明
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。
顶视图
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 1.9 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.23 | nC | |
| RDS(on) | 漏源 导通电阻 |
VGS = –1.8V | 100 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 70 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 56 | mΩ | ||
| RD1D2（导通） | 漏极到漏极 导通电阻 |
VGS = -1.8V | 190 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 120 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 90 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | -0.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD75208W1015 | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装 | 卷带封装 |
| CSD75208W1015T | 250 | 7 英寸卷带 |
- 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V |
| VGS | 栅源电压 | -6 | V |
| ID1D2 | 持续漏极到漏极电流， TC = 25°C 时测得 |
-1.6 | A |
| 脉冲漏极到漏极电流， TC = 25°C(1) 时测得 |
–22 | A | |
| IS | 持续源引脚电流 | –3 | A |
| (1)脉冲源引脚电流 (2) | –39 | A | |
| IG | 持续栅极钳位电流 | -0.5 | A |
| 脉冲栅极钳位电流(1) | -7 | A | |
| PD | 功率耗散 | 0.75 | W |
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
- 最大 RθJA = 165ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
- 两器件并行
RD1D2（导通）与 VGS 间的关系 |
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |