1 特長

• 高帯域データパス(最高500MHz)⁽¹⁾
• デバイスの電源オン時とオフ時の両方で5V許容のI/O
• 動作範囲全体にわたって小さく平坦なオン抵抗(r_on)特性(r_on = 4Ω、標準値)
• データI/Oポートのレール・ツー・レール・スイッチング
  • 3.3V V_CCで0～5Vのスイッチング
  • 2.5V V_CCで0～3.3Vのスイッチング
• 伝播遅延がゼロに近い双方向データ・フロー
• 低い入力/出力容量により負荷および信号歪みが最小化(C_io(OFF) = 3.5pF、標準値)
• 高いスイッチング周波数(f_OE = 20MHz、最大値)
• データおよび制御入力にアンダーシュート・クランプ・ダイオードを搭載
• 低い消費電力(I_CC = 0.6mA、標準値)
• 2.3V～3.6Vの範囲のV_CCで動作
• データI/Oは0～5Vの信号レベルに対応(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
• 制御入力をTTLまたは5V/3.3V CMOS出力で駆動可能
• I_offにより部分的パワーダウン・モードをサポート
• JESD 78, Class II準拠で100mA超のラッチアップ性能
• ESD性能はJESD 22に準拠しテスト済み
  • 人体モデルで2000V (A114-B、クラス II)
  • 荷電デバイス・モデルで1000V (C101)
• デジタルとアナログの両方のアプリケーションに対応: USBインターフェイス、差動信号インターフェイス・バス絶縁、低歪の信号ゲーティング ⁽¹⁾
1. CB3Qファミリの性能特性の詳細情報については、TIのアプリケーション・レポート『CBT-C、CB3T、CB3Q信号スイッチ・ファミリ』 (SCDA008)を参照してください。