JAJSIT4B
March 2020 – May 2022
UCC27284-Q1
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Timing Diagrams
6.8
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Start-Up and UVLO
7.3.2
Input Stage
7.3.3
Level Shifter
7.3.4
Output Stage
7.3.5
Negative Voltage Transients
7.4
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Select Bootstrap and VDD Capacitor
8.2.2.2
Estimate Driver Power Losses
8.2.2.3
Selecting External Gate Resistor
8.2.2.4
Delays and Pulse Width
8.2.2.5
External Bootstrap Diode
8.2.2.6
VDD and Input Filter
8.2.2.7
Transient Protection
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
Third-Party Products Disclaimer
11.2
Receiving Notification of Documentation Updates
11.3
サポート・リソース
11.4
Trademarks
11.5
Electrostatic Discharge Caution
11.6
Glossary
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
D|8
MSOI002K
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsit4b_oa
1
特長
下記内容で AEC-Q100 認定済み
温度グレード 1 (T
j
= -40℃~150℃)
デバイス HBM ESD 分類レベル 1B
デバイス CDM ESD 分類レベル C3
ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
5V (標準値) の低電圧誤動作防止
16ns (標準値) の伝搬遅延
立ち上がり時間 12ns、立ち下がり時間 10ns (1.8nF 負荷時)
1ns (標準値) の遅延マッチング
入力の負電圧:5V
HS の負電圧:14V
±3A のピーク出力電流
絶対最大ブート電圧:120V
ブートストラップ・ダイオードを内蔵
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