計算ツール
データシート
UCC27284-Q1
- 下記内容で AEC-Q100 認定済み
- 温度グレード 1 (Tj = -40℃～150℃)
- デバイス HBM ESD 分類レベル 1B
- デバイス CDM ESD 分類レベル C3
- ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- 5V (標準値) の低電圧誤動作防止
- 16ns (標準値) の伝搬遅延
- 立ち上がり時間 12ns、立ち下がり時間 10ns (1.8nF 負荷時)
- 1ns (標準値) の遅延マッチング
- 入力の負電圧：5V
- HS の負電圧：14V
- ±3A のピーク出力電流
- 絶対最大ブート電圧：120V
- ブートストラップ・ダイオードを内蔵
UCC27284 -Q1 は、100V の最大スイッチ・ノード (HS) 電圧定格を持つ堅牢な N チャネル MOSFET ドライバです。ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成に基づくトポロジで 2 つの N チャネル MOSFET を制御できます。UCC27284 -Q1 はピーク・ソースおよびシンク電流が 3A であり、プルアップおよびプルダウン抵抗も小さいため、MOSFET のミラー・プラトー遷移中のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。各入力が電源電圧と無関係であるため、UCC27284 -Q1 はアナログ・コントローラともデジタル・コントローラとも組み合わせて使用できます。2 次側フルブリッジ同期整流などの用途では、必要に応じて 2 つの入力 (その結果として 2 つの出力) をオーバーラップさせることができます。
入力ピンと HS ピンは大きな負の電圧に耐えられるため、システムの堅牢性が強化されます。5V UVLO により、システムは低いバイアス電圧で動作できます。これは多くの高周波数アプリケーションに不可欠で、特定の動作モードでシステム効率を向上できます。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらに効率が向上します。
ハイサイドとローサイド両方のドライバ段に低電圧誤動作防止 (UVLO) 機能があり、VDD 電圧が指定のスレッショルドを下回ると、出力が強制的に LOW になります。内蔵のブートストラップ・ダイオードにより、多くのアプリケーションでは別の外付けダイオードが不要になるため、基板面積の削減とシステム・コストの低減に役立ちます。 UCC27284-Q1 は、過酷なシステム環境に適した SOIC パッケージで提供しています。
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技術資料
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設計および開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。