計算ツール
データシート
この製品には新バージョンがあります。
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
UCC27212A-Q1
- 車載アプリケーションに対応
- 下記内容でAECA-Q100認定済み:
- デバイス温度グレード: -40℃～+140℃
- デバイスHBM分類レベル2
- デバイスCDM分類レベルC6
- 5V電源オフの低電圧誤動作防止(UVLO)
- 独立入力のハイサイド/ローサイド構成によって 2つのNチャネルMOSFETを駆動
- 最大ブート電圧：120V DC
- 4Aシンク、4Aソース出力電流
- 0.9Ωのプルアップおよびプルダウン抵抗
- 入力ピンは電源電圧範囲に依存せず-10V～+20Vを入力可能
- TTL対応入力
- 5V～17VのVDD動作範囲(絶対最大定格20V)
- 立ち上がり時間7.2ns、立ち下がり時間5.5ns（1000pF負荷時）
- 高速伝搬遅延時間（標準20ns）
- 4ns (標準値)の遅延マッチング
- SOIC8(Powerpad)パッケージで供給
UCC27212A-Q1デバイス・ドライバは、広く普及しているUCC27211 MOSFETドライバを基礎としています。さらに、UCC27212A-Q1は動作範囲が最低5Vまで拡張されているため、電力損失の低減に役立ちます。
ピーク出力プルアップおよびプルダウン電流は、ソース4A、シンク4Aで、プルアップおよびプルダウン抵抗は0.9Ωです。これにより、大電力のMOSFETを駆動でき、MOSFETのミラー・プラトー経由の遷移時にスイッチング損失が最小化されます。
入力構造が-10Vを直接扱えるため、堅牢性が増し、整流ダイオードなしでゲート駆動トランスに直接インターフェイスできます。また、入力は電源電圧に依存せず、最大20Vの定格を持ちます。
UCC27212A-Q1のスイッチング・ノード(HSピン)は最大で-18Vを扱えるため、寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からハイサイド・チャネルを保護できます。UCC27212A-Q1はヒステリシスが増大しているため、アナログまたはデジタルPWMコントローラへのインターフェイスでノイズ耐性が強化されます。
ローサイドとハイサイドのゲート・ドライバが独立して制御され、それぞれのオン/オフ間に4nsでマッチングが行われます。
100V定格のブートストラップ・ダイオードを内蔵しているため、外部にディスクリート・ダイオードが不要です。ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能が搭載され、対称的なオン/オフ動作を実現しながら、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的にLOWになります。
技術資料
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6 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | UCC27212A-Q1 車載用 120Vブート、4Aピーク、高周波数、ハイサイド およびローサイド・ドライバ データシート | PDF | HTML | 最新英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2018年 4月 4日 |
| 機能安全情報 | UCC27211A-Q1 and UCC27212A-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) | PDF | HTML | 2024年 10月 3日 | |||
| アプリケーション・ノート | Understanding and comparing peak current capability of gate drivers | PDF | HTML | 2021年 3月 30日 | |||
| アプリケーション概要 | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
| アプリケーション概要 | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
| その他の技術資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 |
設計および開発
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評価ボード
UCC27212EVM-328 — UCC27212 パワーステージ付き評価モジュール
UCC272XXEVM-328 is designed for evaluating UCC27212DPR, which is a half bridge gate driver with 3.7-A source and 4.5-A sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection guide.
ユーザー ガイド: PDF
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。