UCC27211
- Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs
- Maximum boot voltage 120V DC
- 3.7A source, 4.5A sink output currents
- Input pins can tolerate –10V to 20V and are independent of supply voltage range
- TTL compatible input versions
- 8V to 17V VDD operating range, (20V absolute maximum)
- 7.2ns rise and 5.5ns fall time with 1000pF load
- Fast propagation delay times (20ns typical)
- 4ns delay matching
- Symmetrical undervoltage lockout for high-side and low-side driver
- All industry standard packages available (SOIC-8, PowerPAD™ SOIC-8, 4mm × 4mm SON-8 and 4mm × 4mm SON-10)
- Specified from –40°C to 150°C
The UCC27211 driver is based on the popular UCC27201 MOSFET drivers, but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 3.7A source and 4.5A sink, thereby allowing for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the Miller Plateau of the MOSFET. The input structure is now able to directly handle –10VDC, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a maximum rating of 20V.
The switching node (HS pin) can handle –(24 – VDD) V maximum which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused parasitic inductance and stray capacitance. UCC27211 (TTL inputs) has increased input hysteresis allowing for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity.
The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 4 ns between the turnon and turnoff of each other. An on-chip 120V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes.
Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers providing symmetric turnon and turnoff behavior and forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | UCC27211 120V, 3.7A/4.5A Half-Bridge Driver with 8V UVLO データシート (Rev. G) | PDF | HTML | 2024年 7月 18日 | ||
アプリケーション・ノート | Voltage Fed Full Bridge DC-DC & DC-AC Converter High-Freq Inverter Using C2000 (Rev. D) | 2021年 4月 7日 | ||||
アプリケーション・ノート | Understanding and comparing peak current capability of gate drivers | PDF | HTML | 2021年 3月 30日 | |||
アプリケーション概要 | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
アプリケーション概要 | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
その他の技術資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
セレクション・ガイド | 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) | 英語版 (Rev.R) | 2018年 9月 13日 | |||
アプリケーション・ノート | Hybrid Battery Charger with Load Control for Telecom Equipments (Rev. A) | 2018年 5月 9日 | ||||
その他の技術資料 | ハイサイド・ローサイド・ドライバ 120Vブート、ピーク/シンク・ソース 電流4A、高周波動作 | 2014年 4月 3日 | ||||
その他の技術資料 | Improving System Efficiency With a New Intermediate-Bus Architecture | 2011年 9月 20日 |
設計および開発
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
VSON (DRM) | 8 | Ultra Librarian |
WSON (DPR) | 10 | Ultra Librarian |
購入と品質
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推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。