TAS5755M
- 解决方案尺寸更小
- 支持单芯片 2.1、2.0 和单声道模式
- 单声道 (PBTL) 模式采用单滤波器。
- 焊盘朝上封装和 80mΩ RDSON 增强热性能
- 支持高输出功率:
- 2.1 模式
可提供 2 × 19W +1 × 50W 的输出功率(2 × 4Ω + 1 × 6Ω,24V) - 2.0 模式可提供 2 × 50W 的输出功率(2 × 6Ω,24V)
- 单声道模式可提供 1 × 100W 的输出功率(1 × 2Ω,24V)
- 宽电源电压范围:8V 至 26.4V
- 2.1 模式
- 音频性能:
- 频率为 1kHz 时,THD+N ≤ 0.05%(RSPK = 8Ω,POUT = 1W,PVDD = 18V)
- ICN ≤ 50µVRMS
- 串扰 ≤ - 67dB
- SNR ≥ 104dB
- 提供 BD 调制功能,提高音频性能和效率。
- 集成式音频处理:
- 2 × 8 + 1 × 2 双二阶滤波器
- 双频带 + 单频带可配置动态范围控制 (DRC)
- 免许可证的 3D 音效
- 信号混合和直流阻断滤波器
- 自动速率检测
- 集成式自保护
- 热保护
- 过流限制保护
- 欠压保护
TAS5755M 是具有集成式处理功能的单芯片灵活数字音频解决方案,支持 2.1(2 个扬声器 + 1 个低音炮)、2.0 或立体声(2 个扬声器)和单声道(高功率扬声器)模式。
该器件具有高效率,RDSON 低至 80mΩ,并且采用焊盘朝上封装,输出功率高达 2 × 50W 或 1 × 100W。
TAS5755M 的立体声模式中的每个通道都使用 2 个全 H 桥。在 2.1 模式中,TAS5755M 使用 2 个半桥驱动 2 个独立的扬声器通道,同时使用 1 个全桥驱动低音炮。此外,在单声道模式中,TAS5755M 使用单级滤波器支持预滤波并联桥接式负载 (PBTL),减少了系统总尺寸并降低了成本。
TAS5755M 具有集成式音频处理功能。它包括:信号混合、直流阻断滤波器、2 × 8 + 1 × 2 双二阶滤波器,从而实现均衡。通过双频带对数式 DRC 和用于低音炮通道的单独单频带 DRC 实现功率限制。
More Information and Sample Availability
Prototype samples are available (PTAS5755MDFD, PTAS5755MDFDR). Order Now
技术文档
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查看全部 2 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | 具有集成音频处理器且支持 2.1 模式的 TAS5755M 2 × 50W (2 × 19W + 1 × 50W) 数字输入音频放大器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2018年 6月 6日 |
EVM 用户指南 | TAS5755EVM Evaluation Module (Rev. A) | 2017年 10月 18日 |
设计和开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
评估板
TAS5755MEVM — TAS5755M 评估模块
TAS5755M 评估模块展示了米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 的 TAS5755M 器件。TAS5755M 将高性能 PWM 处理器与 D 类音频功率放大器组合在一起。此 EVM 可以用两个单端 (SE) 扬声器和一个 BTL 低音炮 (2.1) 或两个桥接式扬声器 (BTL) (2.0) 配置而成。TAS5755M 具有额外的环绕声 (3D) 等音频处理功能。
用户指南: PDF
模拟工具
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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HTSSOP (DFD) | 56 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点