TLV3012B
- 低静态电流：3.1µA（最大值，“B”版本）
- 集成电压基准：1.242 V
- 输入共模范围：超过电源轨 200mV
- 电压基准初始精度：1%
- 失效防护输入（“B”版本）
- 上电复位（“B”版本）
- 集成迟滞（“B”版本）
-
开漏输出选项 (TLV3011x)
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推挽输出选项 (TLV3012x)
-
快速响应时间：6uS
- 低电源电压 = 1.65V 至 5.5V（“B”版本）
TLV3011 是一款低功耗、开漏输出比较器；TLV3012 是一款推挽输出比较器。这两款器件均具有非限定的片上电压基准，静态电流为 5µA（最大值），输入共模范围超出电源轨 200mV，单电源电压范围为 1.8V 至 5.5V。集成的 1.242V 系列电压基准提供 100ppm/°C（最大值）的低温漂，在高达 10nF 的容性负载下保持稳定，并且可以提供高达 0.5mA（典型值）的输出电流。
TLV3011B 和 TLV3012B“B”版本添加了上电复位 (POR)、失效防护输入、内置迟滞、1.65V 的较低最小电源电压和 3.1µA 的最大静态电流。
该系列采用微型 SOT23-6 和 SC-70 两种封装，前者可实现节省空间的设计，后者可进一步节省电路板面积。所有版本的额定工作温度范围均为 –40°C 至 +125°C。
技术文档
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TLV3011、TLV3012、TLV3011B 和 TLV3012B 具有集成 1.24V 电压基准的低功耗比较器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 4月 27日 |
| 电路设计 | 低功耗双向电流检测电路 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 10月 15日 | |
| 电路设计 | 采用比较器的高侧电流检测电路. (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 10月 3日 | |
| 应用简报 | 使用比较器进行电压监控 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 10月 12日 | |
| 电路设计 | Circuit for voltage monitoring in eCall telematics control units | 2020年 1月 16日 | ||||
| 应用手册 | Nano-Power Battery Monitoring in Personal Electronics | 2017年 12月 8日 |
设计和开发
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AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块
放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件，与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板，主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求，使工程师能够快速评估和验证器件性能。
AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装，包括：
- D（SOIC-8 和 SOIC-14）
- PW (TSSOP-14)
- DGK (VSSOP-8)
- DBV（SOT23-5 和 SOT23-6）
- DCK（SC70-5 和 SC70-6）
DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块
借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。
DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
- DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
- DCK（SC70-6 和 SC70-5）
- DRL (SOT563-6)
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需要 HSpice (...)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
| SOT-SC70 (DCK) | 6 | Ultra Librarian |
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