主页 传感器 磁传感器 霍尔效应电流传感器
主页
传感器
磁传感器
霍尔效应电流传感器
新

TMCS1126-Q1

正在供货

具有 AFR、基准和警报功能且符合 AEC-Q100 标准的 80ARMS、500kHz 霍尔效应电流传感器

立即订购
数据表

TMCS1126-Q1

正在供货
数据表 立即订购

米6体育平台手机版_好二三四详情

Continuous current (max) (A) 80 Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 40, 42, 45, 60 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 133, 150, 160, 200 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 500 Sensitivity error (%) 0.75 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 80 Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 40, 42, 45, 60 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 133, 150, 160, 200 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 500 Sensitivity error (%) 0.75 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 功能安全型
    • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 高持续电流能力：80ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差：±0.1%
    • 灵敏度热漂移：±20ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移：±0.2%
    • 失调电压误差：±0.2mV
    • 偏移热漂移：±2µV/°C
    • 偏移寿命漂移：±0.2mV
    • 非线性：±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 精密零电流基准输出
  • 快速响应
    • 信号带宽：500kHz
    • 响应时间：250ns
    • 传播延迟：60ns
    • 过流检测响应：100ns
  • 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项：
    • 范围为 15mV/A 至 150mV/A
  • 安全相关认证（计划）
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 功能安全型
    • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 高持续电流能力：80ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差：±0.1%
    • 灵敏度热漂移：±20ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移：±0.2%
    • 失调电压误差：±0.2mV
    • 偏移热漂移：±2µV/°C
    • 偏移寿命漂移：±0.2mV
    • 非线性：±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 精密零电流基准输出
  • 快速响应
    • 信号带宽：500kHz
    • 响应时间：250ns
    • 传播延迟：60ns
    • 过流检测响应：100ns
  • 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项：
    • 范围为 15mV/A 至 150mV/A
  • 安全相关认证（计划）
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1126-Q1 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±103A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。TI 提供 TMCS1126xxB-Q1 作为更低成本选项。

TMCS1126-Q1 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±103A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。TI 提供 TMCS1126xxB-Q1 作为更低成本选项。
filter 查找其他 霍尔效应电流传感器
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此米6体育平台手机版_好二三四的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 5
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TMCS1126-Q1 符合 AEC-Q100 标准 、具有 增强型工作电压 、过流检测 和环境磁场抑制功能的 精密 500kHz 霍尔效应电流传感器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 11月 8日
功能安全信息 TMCS112x-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2024年 3月 28日
证书 TMCS1126AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
证书 TMCS1126BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
证书 TMCS1126CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 18日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TMCS-A-ADAPTER-EVM — 适用于 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应电流传感器适配器卡（不包括 IC）

TMCS-A-ADAPTER-EVM 评估模块 (EVM) 旨在促进快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应精密电流检测监控器。此 EVM 支持用户通过霍尔输入侧推送高达 90A 的电流，同时通过隔离栅测量隔离式输出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一个未组装的 PCB，预留了用于组装测试点的位置和用于器件评估的分线接头引脚。PCB 焊盘采用重叠结构，因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能与 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

TMCS1126EVM — TMCS1126 评估模块

TMCS1126EVM 工具可帮助您快速、便捷地使用 TMCS1126，后者是一种采用内部基准的隔离式霍尔效应精密电流检测监测器。此评估模块支持用户在霍尔输入侧实施最大工作电流，同时通过增强型隔离栅测量隔离式输出。此电路板布局并非是目标电路的模型，也并非专门用于电磁 (EMI) 测试。TMCS1126EVM 由单个印刷电路板构成，可拆分为五个单独部分，支持用户测试单个静态点的所有灵敏度变化（A = 0.5Vs、B = 0.33Vs 或 C = 0.1Vs）。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
View Options
仿真模型

TMCS1125xA1 PSpice Model

SBOMCJ7.ZIP (405 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

TMCS1126x1A TINA-TI Spice Model

SBOMCJ8.ZIP (35 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频