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TPD4E6B06

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采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Package name DFN-0603 (X2SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 4.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.75 Interface type Memory/SIM Card Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN-0603 (X2SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 4.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.75 Interface type Memory/SIM Card Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X2SON (DPW) 4 0.64 mm² 0.8 x 0.8
  • IEC 61000-4-2 4 级
    • ±15kV 接触放电
    • ±15kV 气隙放电
  • IEC 61000-4-5（浪涌）：3A (8/20µs)
  • IO 电容值：4.8pF（典型值）
  • RDYN：0.75Ω（典型值）
  • 直流击穿电压：±6V（最小值）
  • 超低泄漏电流：100nA（最大值）
  • 钳位电压：10V（IPP = 1A 时的最大值）
  • 工业温度范围：-40°C 至 +125°C
  • 节省空间的 DPW 封装 (0.8mm × 0.8mm)
  • IEC 61000-4-2 4 级
    • ±15kV 接触放电
    • ±15kV 气隙放电
  • IEC 61000-4-5（浪涌）：3A (8/20µs)
  • IO 电容值：4.8pF（典型值）
  • RDYN：0.75Ω（典型值）
  • 直流击穿电压：±6V（最小值）
  • 超低泄漏电流：100nA（最大值）
  • 钳位电压：10V（IPP = 1A 时的最大值）
  • 工业温度范围：-40°C 至 +125°C
  • 节省空间的 DPW 封装 (0.8mm × 0.8mm)

TPD4E6B06 是一款采用超小型 DPW 封装的四通道静电放电 (ESD) 保护器件。此器件是业内领先的小型 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管，间距为 0.48mm。这种较大的间距有助于节省印刷电路板 (PCB) 的制造成本。此器件提供符合 IEC61000-4-2 标准的高达 15kV 的接触放电要求。此器件具有 ESD 钳位电路，该电路的背对背二极管支持双极双向信号。4.8pF（典型值）的线路电容使得此器件适用于 支持 高达 700MHz 数据速率的广泛应用。

TPD4E6B06 是一款采用超小型 DPW 封装的四通道静电放电 (ESD) 保护器件。此器件是业内领先的小型 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管，间距为 0.48mm。这种较大的间距有助于节省印刷电路板 (PCB) 的制造成本。此器件提供符合 IEC61000-4-2 标准的高达 15kV 的接触放电要求。此器件具有 ESD 钳位电路，该电路的背对背二极管支持双极双向信号。4.8pF（典型值）的线路电容使得此器件适用于 支持 高达 700MHz 数据速率的广泛应用。

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* 数据表 具有 15kV 接触放电和超低钳位电压的 TPD4E6B06 四通道双向低电容 ESD 保护器件 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2017年 11月 22日
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设计和开发

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评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 米6体育平台手机版_好二三四系列的开发平台。为了测试任何型号的器件，该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构，然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管，则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管，则应采用有布线连接到测试点的封装结构，以便轻松运行直流测试，例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置，轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
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模拟工具

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如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表 

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