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Protocols USB 2.0 Configuration Crosspoint/exchange Number of channels 2 Bandwidth (MHz) 1200 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 3 Ron (typ) (mΩ) 13000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (µA) 50 ESD HBM (typ) (kV) 2.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) Yes ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 100 COFF (typ) (pF) 6 CON (typ) (pF) 12 Off isolation (typ) (dB) -30 OFF-state leakage current (max) (µA) 5 Propagation delay time (µs) 0.00005 Ron (max) (mΩ) 19000 Ron channel match (max) (Ω) 2.5 RON flatness (typ) (Ω) 4 Turnoff time (disable) (max) (ns) 100 Turnon time (enable) (max) (ns) 30 VIH (min) (V) 2.3 VIL (max) (V) 0.6
Protocols USB 2.0 Configuration Crosspoint/exchange Number of channels 2 Bandwidth (MHz) 1200 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 3 Ron (typ) (mΩ) 13000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (µA) 50 ESD HBM (typ) (kV) 2.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) Yes ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 100 COFF (typ) (pF) 6 CON (typ) (pF) 12 Off isolation (typ) (dB) -30 OFF-state leakage current (max) (µA) 5 Propagation delay time (µs) 0.00005 Ron (max) (mΩ) 19000 Ron channel match (max) (Ω) 2.5 RON flatness (typ) (Ω) 4 Turnoff time (disable) (max) (ns) 100 Turnon time (enable) (max) (ns) 30 VIH (min) (V) 2.3 VIL (max) (V) 0.6
WQFN (RUK) 20 9 mm² 3 x 3
  • 可用于配置
    • 差动交叉点开关
    • 差分单通道 1:4 多路复用器和多路信号分离器
    • 差分双通道 1:2 多路复用器和多路信号分离器
    • 信号对至两个端口的同步差动扇出
  • 双向运转
  • 失效防护保护:IOFF 保护可防止在掉电状态
    (VCC = 0V) 下泄漏电流
  • 高带宽(典型值 1.2GHz)
  • 低 RON 和 CON
    • 典型值 13Ω RON
    • 典型值 9pF CON
  • 静电放电性能(I/O 引脚)
    • ±8kV 接触放电 (IEC 61000-4-2)
    • JESD22-A114E(至 GND)对应的 2 kV 人体模型
  • ESD 性能(所有引脚)
    • JESD22 A114E 对应的 2 kV 人体模型
  • 小型 WQFN 封装(3.00 mm × 3.00 mm,
    0.4mm 间距)
  • 可用于配置
    • 差动交叉点开关
    • 差分单通道 1:4 多路复用器和多路信号分离器
    • 差分双通道 1:2 多路复用器和多路信号分离器
    • 信号对至两个端口的同步差动扇出
  • 双向运转
  • 失效防护保护:IOFF 保护可防止在掉电状态
    (VCC = 0V) 下泄漏电流
  • 高带宽(典型值 1.2GHz)
  • 低 RON 和 CON
    • 典型值 13Ω RON
    • 典型值 9pF CON
  • 静电放电性能(I/O 引脚)
    • ±8kV 接触放电 (IEC 61000-4-2)
    • JESD22-A114E(至 GND)对应的 2 kV 人体模型
  • ESD 性能(所有引脚)
    • JESD22 A114E 对应的 2 kV 人体模型
  • 小型 WQFN 封装(3.00 mm × 3.00 mm,
    0.4mm 间距)

TS3DS10224 器件是一款双向差动交叉点、1:4 或 1:2 多路复用器和多路信号分离器;或高达 720Mbps 的高速差分信号 应用 扇出开关。TS3DS10224 逻辑表可对任何输入到输出进行布线,创建各种可能的开关或多路复用配置。常见配置包括:差动交叉点开关、差分 1:4 多路复用器,或差分双通道 1:2 多路复用器和多路信号分离器。TS3DS10224 提供 1.2GHz 高带宽,具有 13 Ω 的通道 RON(典型值)。

TS3DS10224 也可用于将差分信号对同步扇出至两个端口(扇出配置)。在这个配置中,带宽性能有所降低。

TS3DS10224 需由 3V 至 3.6V 的电源供电。该器件 的 I/O 引脚上具有最高可达 ±8kV 的接触放电 ESD 保护和 2kV 人体模型。

在电源 (VCC) 不存在时,TS3DS10224 使用高阻抗隔离 I/O 引脚以提供失效防护保护。

TS3DS10224 器件是一款双向差动交叉点、1:4 或 1:2 多路复用器和多路信号分离器;或高达 720Mbps 的高速差分信号 应用 扇出开关。TS3DS10224 逻辑表可对任何输入到输出进行布线,创建各种可能的开关或多路复用配置。常见配置包括:差动交叉点开关、差分 1:4 多路复用器,或差分双通道 1:2 多路复用器和多路信号分离器。TS3DS10224 提供 1.2GHz 高带宽,具有 13 Ω 的通道 RON(典型值)。

TS3DS10224 也可用于将差分信号对同步扇出至两个端口(扇出配置)。在这个配置中,带宽性能有所降低。

TS3DS10224 需由 3V 至 3.6V 的电源供电。该器件 的 I/O 引脚上具有最高可达 ±8kV 的接触放电 ESD 保护和 2kV 人体模型。

在电源 (VCC) 不存在时,TS3DS10224 使用高阻抗隔离 I/O 引脚以提供失效防护保护。

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* 数据表 TS3DS10224 高速差动交叉点、1:4 差分多路复用器和多路信号分离器、双通道差分 1:2 多路复用器和多路信号分离器或扇出开关 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2020年 5月 22日
应用手册 防止模拟开关的额外功耗 英语版 2008年 7月 15日
应用手册 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日

设计和开发

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接口适配器

LEADLESS-ADAPTER1 — 用于测试 TI 6、8、10、12、14、16 和 20 引脚无引线封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADLESS1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间,可将 TI 的 DRC、DTP、DQE、RBW、RGY、RSE、RSV、RSW、RTE、RTJ、RUK、RUC、RUG、RUM、RUT 和 YZP 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。
用户指南: PDF
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仿真模型

TS3DS10224 HSpice AIO (Linux) Model

SCDM137.ZIP (511 KB) - HSpice Model
仿真模型

TS3DS10224 HSpice AIO (Windows) Model

SCDM136.ZIP (511 KB) - HSpice Model
仿真模型

TS3DS10224 IBIS Model

SCDM301.ZIP (4 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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