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LMG3411EVM-018

具有逐周期过流保护的 LMG3411R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3411EVM-018

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概述

LMG3411EVM-018 将两个 LMG3411R050 GaN FET 配置到具有逐周期过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。  该 EVM 需要与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3411R050 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入（死区时间为 50ns）
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN
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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* EVM 用户指南 Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019年 3月 8日
数据表 LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
数据表 具有过流保护功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成式 GaN 功率级 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 6月 24日
证书 LMG3411EVM-018 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 3月 12日

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