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设计和开发

LMG3422EVM-043

LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡

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LMG3422EVM-043

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概述

LMG3422EVM-043 将两个 LMG3422R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入（具有可变死区时间）
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET
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Evaluating LMG3422R030 GaN FET power stage

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
用户指南 LMG342XEVM-04X 用户指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 14日
白皮书 Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
白皮书 Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
白皮书 通过结合 TI GaN FET 实现功率密集和高效的数字电源系统 英语版 2021年 1月 5日
证书 LMG3422EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

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