主页
设计和开发

LMG3425EVM-041

具有理想二极管模式的 LMG3425R050 600V 50mΩ 半桥子卡

立即订购

LMG3425EVM-041

立即订购

概述

LMG3425EVM-041 可将两个 LMG3425R050 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入（具有可变死区时间）
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET
下载 观看带字幕的视频 视频

立即订购并开发

了解硬件、软件包以及相关文档

硬件和软件包

Evaluating LMG3425R050 GaN FET power stage

了解详情

仅订购此硬件

子卡

LMG3425EVM-041 — 具有理想二极管模式的 LMG3425R050 600V 50mΩ 半桥子卡

发送申请
应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

技术文档

未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看所有 2
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
用户指南 LMG342XEVM-04X 用户指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 14日
证书 LMG3425EVM-041 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题 查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供，并不构成 TI 规范。参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 米6体育平台手机版_好二三四有疑问，请参阅 TI 支持。

视频