TIDA-00448

具有增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计

TIDA-00448

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概述

TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序,旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内,具有相同的封装,能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应比较器的 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关闭时间都是可配置的。该设计可连接来自 3.3 V 和 5 V MCU 的 PWM,并同时连接故障、重置和 UVLO 反馈。

特性
  • 适用于输入电源最高达 600 Vac 的低压驱动器
  • 适用于额定电流高达 1000 A 且 Qg 高达 10 uC 的中等功率 IGBT 模块
  • 双极性(+15 V 和 -8 V)闸极驱动器电压
  • 通用 MOSFET 尺寸让用户能选择拉电流和灌电流的额定值为 25 A、32 A 和 40 A 的器件
  • 可编程的 DESAT 和软关断特性
  • 8 kV 增强型隔离和大于 50 kV/us 的 CMTI
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设计文件

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参考设计概述和经过验证的性能测试数据

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设计布局和元件的详细原理图

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设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

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IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

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米6体育平台手机版_好二三四

在设计中包括 TI 米6体育平台手机版_好二三四和可能的替代米6体育平台手机版_好二三四。

数字隔离器

ISO7842高隔离额定值、四通道、2/2、增强型数字隔离器

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MOSFET

CSD17313Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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MOSFET

CSD87353Q5D采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

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交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

TPS51604适用于同步降压高频 CPU 内核电源应用的 4A、28V 半桥栅极驱动器

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同相缓冲器和驱动器

SN74LVC1G125具有三态输出的 1.65V 至 5.5V 单路缓冲器

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比较器

TLV32015.5V 高速单路推挽比较器

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监控器和复位 IC

TPS3700用于过压和欠压监测的高电压 (18V) 窗口电压检测器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7A4201具有使能功能的 50mA、28V、低 IQ、可调节低压降稳压器

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 设计指南 Flexible High-Current IGBT Gate Driver With Digital Isolator Design Guide (Rev. A) 2015年 11月 17日
应用手册 Is Your IGBT Gate-Driver Power Supply Optimized 2015年 3月 12日

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