TIDA-01379

瞬态负载发生器参考设计

TIDA-01379

设计文件

概述

TIDA-01379 参考设计可产生用于评估转换器稳定性所需的快速负载瞬态信号。电路板包含三个经过调节或未经调节的可分离负载瞬态发生器,并能够支持不同的负载配置。负载可以是以地为基准的负载或是浮动负载。

特性
  • 快速瞬态
  • 浮动负载和以地为基准的负载
  • 稳压
  • 隔离式
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和米6体育平台手机版_好二三四

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

ZHCU349.PDF (806 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRT30.PDF (147 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRT31.PDF (61 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRT32.PDF (124 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRT34.ZIP (10374 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDX2.ZIP (478 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRT33.PDF (778 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

米6体育平台手机版_好二三四

在设计中包括 TI 米6体育平台手机版_好二三四和可能的替代米6体育平台手机版_好二三四。

MOSFET

CSD17304Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF
MOSFET

CSD18534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD25404Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
高速运算放大器 (GBW ≥ 50MHz)

OPA3652.2V、50MHz 低噪声单电源轨到轨运算放大器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
设计指南 瞬态负载发生器参考设计 英语版 2017年 10月 9日

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