4 修订历史记录

Changes from H Revision (January 2018) to I Revision

• 从数据表标题中删除了“NRND”Go
• 删除了 NRND 披露声明Go

Changes from G Revision (January 2016) to H Revision

• 将数据表标题从“用于增强模式 GaN FET 的 LM5113 100V、1.2A/5A 半桥栅极驱动器”更改成了“LM5113 80V、1.2A、5A 半桥 GaN 驱动器”Go
• 在数据表中添加了“不建议用于新设计”声明Go
• 增加内容到说明部分Go
• 更改了第一页的重要图形 Go
• Removed HB to VDD parameter from the Absolute Maximum Ratings tableGo
• Changed the HS to VSS maximum from: 100 V to: 93 VGo
• Changed the HB to VSS maximum from: 107 V to: V(HS) + 7 VGo
• Changed the human-body model value from: ±2000 to: ±1000Go
• Changed HS maximum from: 100 V to: 90 V Go
• Changed the Functional Block DiagramGo
• Changed the last paragraph and add new images to the Input and Output section Go
• Added content to the Start-up and UVLO section Go

Changes from F Revision (April 2013) to G Revision

• 添加了 ESD 额定值 表、特性 说明部分、器件功能模式、应用和实施部分、电源相关建议部分、布局部分、器件和文档支持部分以及机械、封装和可订购信息部分Go

Changes from E Revision (April 2013) to F Revision

• 将美国国家半导体数据表的版面布局更改成了 TI 格式Go