ZHCSX80 October   2024 TPS25763-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  建议元件
    5. 6.5  热性能信息
    6. 6.6  降压/升压稳压器
    7. 6.7  CC 电缆检测参数
    8. 6.8  CC VCONN 参数
    9. 6.9  CC PHY 参数
    10. 6.10 热关断特性
    11. 6.11 振荡器特性
    12. 6.12 ADC 特性
    13. 6.13 TVSP 参数
    14. 6.14 输入/输出 (I/O) 特性
    15. 6.15 BC1.2 特性
    16. 6.16 I2C 要求和特性
    17. 6.17 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  器件电源管理和监控电路
        1. 8.3.1.1 VIN UVLO 和使能/UVLO
        2. 8.3.1.2 内部 LDO 稳压器
      2. 8.3.2  TVSP 器件配置和 ESD 保护
      3. 8.3.3  外部 NFET 和 LSGD
      4. 8.3.4  降压/升压稳压器
        1. 8.3.4.1  降压/升压稳压器运行
        2. 8.3.4.2  开关频率、频率抖动、相移和同步
        3. 8.3.4.3  VIN 电源和 VIN 过压保护
        4. 8.3.4.4  反馈路径和误差放大器
        5. 8.3.4.5  跨导体和补偿
        6. 8.3.4.6  输出电压 DAC、软启动和电缆压降补偿
        7. 8.3.4.7  VBUS 过压保护
        8. 8.3.4.8  VBUS 欠压保护
        9. 8.3.4.9  电流检测电阻器 (RSNS) 和电流限制运行
        10. 8.3.4.10 降压/升压峰值电流限制
      5. 8.3.5  USB-PD 物理层
        1. 8.3.5.1 USB-PD 编码和信令
        2. 8.3.5.2 USB-PD 双相标记编码
        3. 8.3.5.3 USB-PD 发送 (TX) 和接收 (Rx) 掩码
        4. 8.3.5.4 USB-PD BMC 发送器
        5. 8.3.5.5 USB-PD BMC 接收器
        6. 8.3.5.6 静噪接收器
      6. 8.3.6  VCONN
      7. 8.3.7  电缆插拔和方向检测
        1. 8.3.7.1 配置为源端
        2. 8.3.7.2 配置为接收端
        3. 8.3.7.3 配置为 DRP
        4. 8.3.7.4 过压保护(Px_CC1,Px_CC2)
      8. 8.3.8  ADC
        1. 8.3.8.1 ADC 分压器分压比
      9. 8.3.9  BC 1.2 模式、传统模式和快速充电模式(Px_DP、Px_DM)
      10. 8.3.10 DisplayPort 热插拔检测 (HPD)
      11. 8.3.11 USB2.0 低速端点
      12. 8.3.12 数字接口
        1. 8.3.12.1 常规 GPIO
        2. 8.3.12.2 I2C 缓冲器
      13. 8.3.13 I2C 接口
        1. 8.3.13.1 I2C 接口说明
        2. 8.3.13.2 I2C 时钟延展
        3. 8.3.13.3 I2C 地址设置
        4. 8.3.13.4 唯一地址接口
        5. 8.3.13.5 I2C 上拉电阻计算
      14. 8.3.14 数字内核
        1. 8.3.14.1 器件存储器
        2. 8.3.14.2 内核微处理器
      15. 8.3.15 NTC 输入
      16. 8.3.16 热传感器和热关断
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 应用程序 GUI 选择
        2. 9.2.2.2 EEPROM 选择
        3. 9.2.2.3 EN/UVLO
        4. 9.2.2.4 检测电阻器 RSNS、RCSP、RCSN 和 CFILT
        5. 9.2.2.5 电感器电流
        6. 9.2.2.6 输出电容器
        7. 9.2.2.7 输入电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1.     106

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

降压/升压稳压器运行

TPS25763-Q1 器件采用一个固定频率、电流模式控制降压/升压转换器。该转换器以强制连续导通模式 (CCM) 运行,因此允许电感器电流在轻负载条件下沿任一方向流动。动力总成包含五个 N 沟道功率 MOSFET。请参阅图 8-8。晶体管 M1 和 M2 是高侧和低侧降压 FET。晶体管 M3 和 M4 是高侧和低侧升压 FET。晶体管 M5 在输入过压瞬态期间可以阻止从 OUT 到 SW2 的反向导通,如 VIN 电源和 VIN 过压保护中所述。

  • IN: 从电池接收电能。必须在 IN 和 PGND 之间连接输入大容量电容器。
  • OUT:从开关转换器输出电能。在 OUT 和 PGND 之间连接输出大容量电容器。
  • PGND:开关转换器动力总成的接地回路。
  • AGND:除动力总成之外的其余所有部分的接地回路。电压反馈分压器回到 AGND。PGND 和 AGND 必须在电路板上连接在一起。
  • LDO_5V:为 M2 和 M4 提供栅极驱动,并为馈送 BOOT1 和 BOOT2 的自举电路提供电流。必须将一个旁路电容器从 LDO_5V 连接到 PGND。有关 LDO_5V 的更多信息,请参阅内部 LDO 稳压器
  • LDO_3V3:模拟电路电源。必须将一个旁路电容器从 LDO_3V3 连接到 AGND。有关 LDO_3V3 的更多信息,请参阅内部 LDO 稳压器
  • BOOT1:为 M1 提供栅极驱动。必须将一个自举电容器从 BOOT1 连接到 SW1。
  • BOOT2:为 M3 提供栅极驱动。必须将一个自举电容器从 BOOT2 连接到 SW2。
  • SW1:将 M1 和 M2 连接到外部电感器。
  • SW2:将 M3 和 M4 连接到外部电感器。
  • CSP:平均电流检测放大器的正极端子。连接到输出大容量电容器的正极端子。
  • CSN/BUS:平均电流检测放大器的负极端子。一个 10mΩ 电流检测电阻器在外部从 CSP 连接到 CSN/BUS。

根据输入电压 VIN 和输出电压 VOUT,转换器可以在四种不同状态中的一种状态下运行,以下各节将对每种状态进行说明。

TPS25763-Q1 降压/升压内部功率 FET图 8-8 降压/升压内部功率 FET

降压状态

当输入电压 VIN 明显超过输出电压 VOUT 时,转换器进入降压工作区域,在该区域中会执行一系列无限循环的降压开关周期(降压状态)。M3 和 M5 持续导通,M4 持续关断。当时钟信号指示开关周期已开始时,控制器将导通 M2 并关断 M1。这种开关配置对应于传统降压转换器的关断时间间隔。电感器上的电压差 VSW1 - VSW2 等于 -VOUT。电感器电流 IL 会斜降,直至达到误差放大器设定的阈值 IVALLEY。然后,控制器关断 M2 并导通 M1。这种开关配置对应于传统降压转换器的导通时间间隔。电压差 VSW1 - VSW2 现在等于 VIN - VOUT。现在,电感器电流会斜升,直至转换器时钟信号表明已经达到开关周期的末尾。

导通时间 ton 等于 M1 导通期间的时间间隔。关断时间 toff 等于 M2 导通期间的时间间隔。由于转换器以 FCCM 模式运行,因此周期 τ 等于 ton 和 toff 之和。在降压状态期间,控制器通过调整降压占空比 D(等于 ton/τ 比率)来调节功率流。

TPS25763-Q1 降压状态图 8-9 降压状态

降压转换状态

当输入电压 VIN 仅略高于输出电压 VOUT 时,转换器进入降压转换工作区域,在该区域中会交替执行降压和升压开关周期(降压转换)。M5 为常开状态。当时钟信号指示降压开关周期已开始时,控制器将导通 M2 和 M3 并关断 M1 和 M4。这种开关配置对应于传统降压转换器的关断时间。电感器电流 IL 会斜降,直至达到误差放大器设定的阈值 IVALLEY。然后,控制器关断 M2 并导通 M1。这种开关配置对应于传统降压转换器的导通时间。现在,电感器电流缓慢斜升,直至时钟信号表明降压开关周期结束为止。下一个开关周期是升压开关周期。当此周期开始时,控制器会关断 M3 并导通 M4。M2 保持关断,M1 和 M5 都保持导通。这种开关配置对应于传统升压转换器的导通时间。现在,电感器电流 IL 迅速斜升,直至 的固定导通时间到期。然后,控制器关断 M4 并导通 M3。现在,电感器电流会斜降,直至时钟信号表明升压开关周期结束为止。下一个开关周期是另一个降压周期。

在降压转换状态期间,控制器通过调整降压占空比来调节功率流。升压占空比保持固定。如果转换器保持在降压状态,而不是进入降压转换状态,则降压导通时间会变得极短,以至于在不进行脉冲跳跃的情况下无法调节功率流。

TPS25763-Q1 降压转换图 8-10 降压转换

升压转换状态

当输入电压 VIN 仅略低于输出电压 VOUT 时,转换器进入升压转换工作区域,在该区域中会交替执行升压和降压开关周期(升压转换)。M5 为常开状态。当时钟信号指示升压开关周期已开始时,控制器将导通 M1 和 M4 并关断 M2 和 M3。这种开关配置对应于传统升压转换器的导通时间。电感器电流 IL 会斜升,直至达到误差放大器设定的阈值 IPEAK。然后,控制器关断 M4 并导通 M3。这种开关配置对应于传统升压转换器的关断时间。现在,电感器电流缓慢斜降,直至时钟信号表明升压开关周期结束为止。下一个开关周期是降压开关周期。当此周期开始时,控制器会关断 M1 并导通 M2。M4 保持关断,M3 和 M5 都保持导通。这种开关配置对应于传统降压转换器的关断时间。现在,电感器电流 IL 迅速斜降,直至 的固定关断时间到期。然后,控制器关断 M2 并导通 M1。现在,电感器电流会斜升,直至时钟信号表明降压开关周期结束为止。下一个开关周期是另一个升压周期。

在升压转换状态期间,控制器通过调整升压占空比来调节功率流。降压占空比保持固定。如果转换器保持在升压状态,而不是进入升压转换状态,则升压导通时间极短,以至于在不进行脉冲跳跃的情况下无法调节功率流。

TPS25763-Q1 升压转换图 8-11 升压转换

升压状态

当输入电压 VIN 明显低于输出电压 VOUT 时,转换器进入升压工作区域,在该区域中会执行一系列无限循环的升压开关周期(升压状态)。M1 和 M5 持续导通,M2 持续关断。当时钟信号指示开关周期已开始时,控制器将导通 M4 并关断 M3。这种开关配置对应于传统升压转换器的导通时间间隔。电感器上的电压差 VSW1 - VSW2 等于 VIN。电感器电流 IL 会斜升,直至达到误差放大器设定的阈值 IPEAK。然后,控制器关断 M4 并导通 M3。这种开关配置对应于传统升压转换器的关断时间间隔。电压差 VSW1 - VSW2 现在等于 VIN - VOUT,这是一个负值。现在,电感器电流会斜降,直至转换器时钟信号表明已经达到开关周期的末尾。

导通时间 ton 等于 M4 导通期间的时间间隔。关断时间 toff 等于 M3 导通期间的时间间隔。由于转换器以 FCCM 模式运行,因此周期 τ 等于 ton 和 toff 之和。在升压状态期间,控制器通过调整升压占空比 D(等于 ton/τ 比率)来调节功率流。

TPS25763-Q1 升压状态图 8-12 升压状态

工作区域的边界

工作区域以图形方式描述了四个工作区域及它们之间的边界。当 VBUS > kVIN 时,转换器保持在升压工作区域。值 k 为 1.2。当 VIN < VBUS < kVIN 时,转换器进入升压转换工作区域。当 VIN/k < VBUS < VIN 时,转换器进入降压转换工作区域。当 VBUS < VIN/k 时,转换器进入降压工作区域。如果 VIN 超过 OVP 阈值(介于 18V 和 20V 之间),转换器将停止工作。同样,如果 VIN 降至低于内部 UVLO 阈值(介于 5V 和 5.5V 之间)或用户编程的 EN/UVLO 阈值(请参阅 VIN UVLO 和使能/UVLO,以较大者为准),转换器也将停止工作。

TPS25763-Q1 工作区域图 8-13 工作区域