ZHCSSM3 July 2024 TPS546E25
ADVANCE INFORMATION
CMD 地址 | D5h |
写入事务: | 写入字 |
读取事务: | 读取字 |
格式: | 无符号二进制(2 字节) |
NVM 备份: | EEPROM |
更新: | 动态 |
此命令包含用于设置启动电压 VBOOT 的位。
返回到支持的 PMBus 命令。
15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
R/W | R/W | R | R | R | R | R | R |
SPARE_NVM | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
R | R | R | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W |
0 | 0 | 0 | VBOOT_1 |
说明:R/W = 读取/写入;R = 只读 |
位 | 字段 | 访问 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
15:14 | SPARE_NVM | R/W | NVM | 备用 NVM。 |
13:5 | 0 | R | 0b | 不受支持且始终为 0。 |
4:0 | VBOOT_1 | R/W | NVM | 这些位包含用于 VREF DAC 目标代码的 VBOOT 设置,以实现软启动(与直接指定初始 VOUT 电压相反)。用户必须选择合适的 VOUT_SCALE_LOOP 以实现所需的输出电压 VOUT。设置 DAC 目标代码会直接将可用 VBOOT 电压数量乘以内部增益选项设置数量。 注意:有效启动电压由 VBOOT、VOUT_SCALE_LOOP、VOUT_MARGIN_HIGH、VOUT_MARGIN_LOW 和 VOUT_TRIM 的组合确定,如表中的 VOUT_COMMAND 说明下所述。合适的 VOUT 来自引脚配置或 VOUT_SCALE_LOOP 的 NVM。 在任何状态下都无法阻止 VBOOT 值更新。如果在处于软启动状态时更新了有源 VBOOT,则输出电压将转换为更新后的 VBOOT 设置。 VBOOT 值通过 VBOOT_1 进行编程。 |
尝试更改只读位 [13:5] 将被视为无效/不受支持的数据。器件将 NACK 不受支持的数据,并且接收到的值将被忽略。将设置 STATUS_BYTE 中的“cml”位和 STATUS_CML 寄存器中的“ivd”位。
VBOOT_1 [4:0] (b) | VDAC_BOOT (V) |
---|---|
00000 | 0 |
00001 | 0.299804688 |
00010 | 0.3125 |
00011 | 0.325195313 |
00100 | 0.337890625 |
00101 | 0.3501 |
00110 | 0.362304688 |
00111 | 0.375 |
01000 | 0.387695313 |
01001 | 0.3999 |
01010 | 0.412597656 |
01011 | 0.424804688 |
01100 | 0.4375 |
01101 | 0.450195313 |
01110 | 0.462890625 |
01111 | 0.4751 |
10000 | 0.487304688 |
10001 | 0.5 |
10010 | 0.512695313 |
10011 | 0.5249 |
10100 | 0.537109375 |
10101 | 0.549804688 |
10110 | 0.5625 |
10111 | 0.575195313 |
11000 | 0.587890625 |
11001 | 0.599609375 |
11010 | 0.625 |
11011 | 0.6499 |
11100 | 0.674804688 |
11101 | 0.700195313 |
11110 | 0.724609375 |
11111 | 0.75 |