如图 6-10 所示，开关节点是高侧 MOSFET 的源极引脚和低侧 MOSFET 的漏极引脚之间的连接。该节点是最终连接到负载（在此应用中是一个电机）的网络。因为该网络上的信号具有高频、大电流特性，开关节点是半桥配置中需要布线的关键信号。图 6-8 中所示电路具有许多由 PCB 和功率 MOSFET 引起的非理想寄生效应。图 6-9 展示了这些主要寄生效应中的一部分，它们是引发“开关节点振铃”现象的主要原因。

图 6-9 半桥寄生效应

开关节点振铃是开关节点上由于 PCB 和功率 MOSFET 的寄生效应而产生的 LC 振荡。开关节点振铃会导致 EMI 并产生过冲和下冲电压，这些值会超出 MOSFET 漏源电压和栅极驱动器引脚的绝对最大额定值。此外，还会降低功率级的效率。

可通过外部措施和系统调整（降低压摆率、使用外部缓冲器等）来解决开关节点振铃问题，但基本合理的布局可以解决许多这样的主要问题。图 6-10 的布局示例中显示的设计可最大限度地降低高侧 MOSFET 的源极与低侧 MOSFET 的漏极之间的电感。较好的做法是尽可能缩短覆铜平面连接的长度并增加其宽度，并且采用具有极小寄生电感的 MOSFET 封装。

图 6-10 开关节点布局示例