在该实现中，仿真 EEPROM 至少包含一个闪存扇区。由于闪存的块擦除要求，必须为 EEPROM 仿真保留一个完整的闪存扇区。根据 C2000 器件型号，闪存扇区的大小会有所不同。闪存扇区的区域被分为许多较小的部分，称为页面。例如，一个 2K x 16 的闪存扇区可以分成 32 个页面，每个页面大小为 64 x 16。

要保存的数据会首先写入 RAM 中的缓冲区。然后，借助第 3 代 C2000 MCU 的电路内编程功能，数据会被写入选择用于 EEPROM 仿真的扇区的第一个页面。下次将数据写入闪存时，数据将被写入下一个页面。该过程会一直持续，直到所选扇区的最后一个页面被写入数据为止。到达最后一个页面后，有两种方法可以继续。如果使用单存储单元 EEPROM 仿真，请参阅单存储单元仿真行为以了解如何处理。如果使用乒乓 EEPROM 仿真，请参阅乒乓方法以了解如何处理。

除上述描述的页面编程概念之外，还支持 64 位编程。在此模式下，扇区不会被分成 EEPROM 组和页面。节 5.2.10和节 5.2.11将进一步讨论 64 位编程。