ZHCAE96 July 2024 TPSI2072-Q1 , TPSI2140-Q1 , TPSI3050 , TPSI3050-Q1 , TPSI3052 , TPSI3052-Q1 , TPSI3100 , TPSI3100-Q1
与光电继电器类似,电容隔离和电感隔离技术也会受到局部放电的影响。因此,这种现象可以量化为时间依赖型电介质击穿 (TDDB),这是验证任何电介质寿命的标准测试方法。可以收集器件上的时间依赖型电介质击穿 (TDDB) 性能数据来表征预期故障率。
例如,下面是 TPSI3050-Q1 的绝缘寿命预测数据。通过收集在各种高压等级下的击穿数据,下图显示了失效时间与 VRMS 之间的关系。