导通电阻 (RON) 是多路复用器在漏极和源极端子之间的路径电阻，即多路复用器在闭合状态时引入电路的电阻。影响 RON 的因素有很多，例如：

• 温度
• 输入电压
• 电源电压
• 栅极长度“W”

与 RON 相关的另一个重要规格是 RON 平坦度。RON 平坦度衡量的是 RON 在多路复用器工作电压范围内的变化情况。RON 平坦度会因多路复用器的类型和设计特性而有显著差异。特别是音频应用需要低平坦度值，因为平坦度导致的谐波失真应尽可能低

理想情况下，RON 应尽可能低，以保持较小的信号损失和传播延迟。为了让模拟多路复用器实现非常低的电阻和平坦度，有两个参数至关重要。对于 PMOS 和 NMOS 来说，尺寸必须尽可能大，而电压阈值必须尽可能低。增加 MOSFET 器件的宽长比 (W/L) 不仅会提高多路复用器的成本，同时还会导致更高的寄生电容和更大的器件面积。这种更大的寄生电容会降低模拟多路复用器能够无失真传输信号的带宽。