CSD95372BQ5M
- 60A 持续运行电流能力
- 电流 30A 时，系统效率达到 93.4%
- 电流 30A 时，2.8W 低功率损耗
- 高频运行（高达 1.25MHz）
- 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
- 温度补偿双向电流感测
- 模拟温度输出（0°C 时 600mV）
- 故障监控
- 高端短路、过流和过热保护
- 输入电压高达 14.5V
- 与 3.3 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
- 三态 PWM 输入
- 集成型自举二极管
- 针对击穿保护的经优化死区时间
- 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 封装
- 超低电感封装
- 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
- 双冷却封装
- 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层
- 无卤素
应用范围
- 多相位同步降压转换器
- 高频应用
- 高电流、低占空比应用
- 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
- 内存和图形卡
- 台式机和服务器 VR11.x / VR12.x V 内核和存储器同步转换器
CSD95372BQ5M NexFET 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个米6体育平台手机版_好二三四集成了驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。 这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 它还集成了准确电流感测和温度感测功能，以简化系统设计并提高准确度。 此外，已经 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | CSD95372BQ5M 同步降压NexFET™ 智能功率级 数据表 | 最新英语版本 (Rev.B) | PDF | HTML | 2014年 3月 29日 |
设计和开发
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参考设计
TIDA-00324 — POL 多相（3 相）、120A 电源参考设计
TIDA-00324 是一种可在输入电压为 12V、输出电压为 1.2V@120A 的应用中突出多相控制器 TPS53631 和智能功率级 CSD95372BQ5M 的电源参考设计。此参考设计可帮助用户开发用于 CPU Vcore 电源的电源解决方案或 DDR4 电源解决方案，从而加快开发进程和米6体育平台手机版_好二三四上市步伐。
参考设计
PMP11184 — 适用于 ASIC 处理器的高效、高功率密度 1V/120A/30A/30A (4+1+1) 参考设计
PMP11184 是一种用于高电流 ASIC 内核电压轨调节的芯片组解决方案。它对 120A 高电流电压轨使用 TPS53647 4 相控制器，该控制器采用 DCAP+ 控制来实现快速瞬态响应，并通过 TI 专有的 AutoBalance 实现严格的稳态和动态相间电流平衡。它还对 30A 双轨使用 TPS40428 双路控制器。这两种控制器都可以驱动 TI NexFET 智能功率级以获得高功率密度和效率。PMBus 功能和板载 NVM 有助于进行轻松设计、配置和定制，并可遥测输出电压、电流、温度和功率。
参考设计
PMP11312 — 适用于 ASIC 处理器的高效、高功率密度、4 相 1V/120A 参考设计
PMP11312 参考设计是一款用于高电流 ASIC 内核电压轨调节的四相 PMBus 转换器。它对 120A 高电流电压轨使用 TPS53647 4 相控制器，该控制器采用 DCAP+ 控制来实现快速瞬态响应，并通过 TI 专有的 AutoBalance 实现严格的稳态和动态相间电流平衡。TPS53647 驱动 TI NexFET 智能功率级以获得高功率密度和效率。经过优化的布局以及经过改进的板堆栈（8 层，2 盎司覆铜）实现了更高的效率和功率密度。PMBus 功能和板载 NVM 实现轻松设计、配置和定制，并可遥测输出电压、电流、温度和功率。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| LSON-CLIP (DQP) | 12 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
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