LMG3612

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具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET

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VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650V 120mΩ GaN 功率 FET
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 静态电流:55µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
  • 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装
  • 650V 120mΩ GaN 功率 FET
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 静态电流:55µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
  • 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3612 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量.

可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。

LMG3612 具有低静态电流和快速启动时间,支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3612 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量.

可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。

LMG3612 具有低静态电流和快速启动时间,支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。

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* 数据表 LMG3612 具有集成驱动器的 650V 120 mΩ GaN FET 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 15日
技术文章 The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024年 1月 30日
米6体育平台手机版_好二三四概述 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 进行设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 29日

设计和开发

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评估板

LMG3622EVM-082 — LMG3622 支持 USB Type-C® PD 的 65W 准谐振反激式转换器评估模块

LMG3622EVM-082 采用了具有电流检测仿真功能的 LMG3622 集成式 GaN FET,具有高效率和高密度等特性,可适用于 65W USB Type-C® 电力输送 (PD) 脱机式适配器。该输入支持 90VAC 至 265VAC 通用电压范围,电流最大值为 3A 时,单输出可设置为 5V、9V 和 15V,最大值为 3.25A 时,可设置为 20V,此设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。标称频率高达 200kHz 的高频运行可实现小解决方案尺寸,而多模式运行可保持高效率。在输出端使用同步整流技术,以提高效率。

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计算工具

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
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氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET LMG3616 具有集成驱动器和保护功能的 650V 270mΩ GaN FET LMG3622 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 120mΩ GaN FET LMG3624 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET LMG3626 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 270mΩ GaN FET
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