LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3622 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量.
可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源地。
LMG3622 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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| * | 数据表 | LMG3622 具有集成驱动器 和电流检测功能 的 650V 120 mΩ GaN FET 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 11月 14日 |
| 技术文章 | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 2024年 1月 30日 | |||
| 应用简报 | 利用 TI GaN 中的集成电流检测功能更大限度提高系统效率 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 12月 13日 | |
| 米6体育平台手机版_好二三四概述 | 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 进行设计 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 11月 29日 | |
| 证书 | LMG3622EVM-082 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 8月 21日 |
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LMG3622EVM-082 采用了具有电流检测仿真功能的 LMG3622 集成式 GaN FET，具有高效率和高密度等特性，可适用于 65W USB Type-C® 电力输送 (PD) 脱机式适配器。该输入支持 90VAC 至 265VAC 通用电压范围，电流最大值为 3A 时，单输出可设置为 5V、9V 和 15V，最大值为 3.25A 时，可设置为 20V，此设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。标称频率高达 200kHz 的高频运行可实现小解决方案尺寸，而多模式运行可保持高效率。在输出端使用同步整流技术，以提高效率。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
Rev A