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TPS51116

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全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO

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Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.75 Vout (max) (V) 3 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.8 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.75 Vout (max) (V) 3 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.8 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
HTSSOP (PWP) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V
    • 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式
    • 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
    • 支持 S4/S5 状态内的软关闭
    • 利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测
    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至
      1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
      输出范围 0.75V 至 3.0V
    • 配备有电源正常、过压保护和欠压保护
  • 3A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF)
    • 拉电流和灌电流的能力达到 3A
    • 提供 LDO 输入以优化功率损耗
    • 只需 20µF 陶瓷输出电容器
    • 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出
    • 针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭
    • 热关断
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V
    • 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式
    • 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
    • 支持 S4/S5 状态内的软关闭
    • 利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测
    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至
      1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
      输出范围 0.75V 至 3.0V
    • 配备有电源正常、过压保护和欠压保护
  • 3A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF)
    • 拉电流和灌电流的能力达到 3A
    • 提供 LDO 输入以优化功率损耗
    • 只需 20µF 陶瓷输出电容器
    • 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出
    • 针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭
    • 热关断

TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。该器件还具有全部保护 特性， 包括热关断保护，并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。

TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。该器件还具有全部保护 特性， 包括热关断保护，并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。
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* 数据表 TPS51116 全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO、缓冲基准 数据表 (Rev. J) PDF | HTML 英语版 (Rev.J) PDF | HTML 2018年 4月 3日
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设计和开发

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TPS51116EVM-001 — TPS51116 存储器电源解决方案，同步降压控制器评估模块

The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10 A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5 V to 28 V supply voltage and a 4.75 V to (...)

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TPS51116 PSpice Transient Model (Rev. B)

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SLUM166.TSC (224 KB) - TINA-TI Reference Design
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SLUM167.ZIP (58 KB) - TINA-TI Spice Model
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HTSSOP (PWP) 20 Ultra Librarian
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  • 器件标识
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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