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TPS51206

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具有用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲基准的 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

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Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 0.9 Features S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 105 Iq (typ) (mA) 0.17 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
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WSON (DSQ) 10 4 mm² 2 x 2
  • 电源输入电压：支持 3.3V 和 5V 电源轨
  • VLDOIN 输入电压范围：VTT+0.4V 至 3.5V
  • VTT 端接稳压器
    • 输出电压范围：0.5V 至 0.9V
    • 2A 峰值灌电流和拉电流
    • 仅需 10µF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
    • ±20mV 精度
  • VTTREF 缓冲参考输出
    • VDDQ/2 ± 1% 精度
    • 10mA 灌/拉电流
  • 支持高阻态（S3 状态）和软停止（S4 和 S5 状态），通过 S3 和 S5 输入选择
  • 过热保护
  • 10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装
  • 电源输入电压：支持 3.3V 和 5V 电源轨
  • VLDOIN 输入电压范围：VTT+0.4V 至 3.5V
  • VTT 端接稳压器
    • 输出电压范围：0.5V 至 0.9V
    • 2A 峰值灌电流和拉电流
    • 仅需 10µF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
    • ±20mV 精度
  • VTTREF 缓冲参考输出
    • VDDQ/2 ± 1% 精度
    • 10mA 灌/拉电流
  • 支持高阻态（S3 状态）和软停止（S4 和 S5 状态），通过 S3 和 S5 输入选择
  • 过热保护
  • 10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装

TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。

TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。

TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。

TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
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* 数据表 适用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 且具有 VTTREF 缓冲基准的 TPS51206 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2019年 1月 23日
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TPS51206EVM-745 — 具有 VTTREF 缓冲基准的 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

TPS51206EVM-745 评估模块（EVM）采用了 TPS51206 器件。TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限型系统而设计。TPS51206EVM-745 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 规格，并具有超少的外部元件。

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TPS51206 PSpice Transient Model

SLUM198.ZIP (56 KB) - PSpice Model
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TPS51206 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM249.TSC (142 KB) - TINA-TI Reference Design
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仿真模型

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SLUM248.ZIP (42 KB) - TINA-TI Spice Model
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测试报告: PDF
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WSON (DSQ) 10 Ultra Librarian
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