TPS53625
- 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 标准
- 单相或两相运行
- 支持零负载和非零负载线路应用
- 8 位 DAC 输出范围:0.25 V 至 1.52 V
- 优化了轻负载和重负载条件下的效率
- 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
- 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
- 支持分立式、电源块、功率级或 DrMOS MOSFET 实施
- 精确可调电压定位
- 300kHz 至 1MHz 的频率选择
- 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
- 可选 8 级电流限制
- 4.5V 至 28V 转换电压范围
- 小型 4mm × 4mm 32 引脚 VQFN PowerPAD™ 集成电路封装
TPS53625 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标准的 VR12.0 降压控制器。高级控制特性(例如 D-CAP+ 架构)借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS53625 器件还支持在 CCM 或 DCM 运行情况下进行单相运行,从而提高轻负载情况下的效率。TPS53625 器件集成了完整的 VR12.0 I/O 功能,包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。VOUT 压摆率和电压定位的可调节控制完善了 VR12.0 功能。与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时,该解决方案可提供超高速度和低开关损耗。TPS53625 器件与选定的 TI 功率级米6体育平台手机版_好二三四以及 DrMOS 米6体育平台手机版_好二三四一起使用,可实现出色效率。TPS53625 器件以 1V 的默认启动电压运行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器,应用可以覆盖默认启动电压。TPS53625 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装,可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。
特别说明
如需获取详细的数据表和其他设计支持工具,请联系 IMVP@list.ti.com。
设计和开发
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参考设计
TIDA-00507 — 用于微型服务器的高功率密度 9V 至 15V 输入 Intel Atom C2000 SoC VCCP 和 VNN 电源轨参考设计
TI TPS53625 VR12 参考设计 (TIDA-00507) 支持 Intel® Atom™ C2000,使用 TI 的无驱 PWM 架构与 TI 功率级相结合,带来高功率密度、高效率和低组件数,同时凭借低波纹和高输出电流监控精度来满足 Intel 电压容限要求。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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VQFN (RSM) | 32 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点