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TPS7A37
- 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容搭配工作时保持稳定
- 输入电压范围:2.2V 至 5.5V
- 超低压降电压:
- 1A 时的最大电压为 200mV
- 出色的负载瞬态响应 - 即使与仅为 1μF 的输出电容搭配使用也依旧出色
- NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流
- 出色的精度:
- 0.23% 标称准确度
- 整个线路、负载和温度范围内的总精度为 1%
- 关断模式下的 IQ 典型值小于 20nA
- 用于故障保护的热关断和电流限制
应用
- 针对数字信号处理器 (DSP),现场可编程栅极阵列 (FPGA),特定用途集成电路 (ASIC) 和微处理器的负载点调节
- 针对开关电源的后置调节
- 便携式和电池供电类设备
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TPS7A37 系列线性低压降 (LDO) 稳压器在一个电压随耦器配置中使用一个 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 导通元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色,即使与 1μF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。
TPS7A37 系列使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺,可在传送极低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未使能状态下的电流消耗小于 20nA,非常适合便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
技术文档
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查看全部 6 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | 具有反向电流保护功能的1% 高准确度,1A 低压降稳压器 数据表 (Rev. B) | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2016年 5月 27日 | |
应用手册 | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 2019年 6月 27日 | ||||
技术文章 | LDO Basics: Preventing reverse current | PDF | HTML | 2018年 7月 25日 | |||
选择指南 | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) | 2018年 3月 21日 | ||||
选择指南 | 低压降稳压器快速参考指南 (Rev. M) | 最新英语版本 (Rev.P) | 2017年 1月 5日 | |||
用户指南 | TPS7A37XXDRV-529 Evaluation Module | 2013年 1月 22日 |
设计和开发
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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WSON (DRV) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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