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隔离式栅极驱动器

UCC21540A-Q1

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具有 5V UVLO 和 3.3mm 通道间距的汽车类 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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功能优于所比较器件的普遍直接替代米6体育平台手机版_好二三四
UCC21550-Q1 正在供货 适用于 IGBT 且具有 DIS 和 DT 引脚的汽车级 4A/6A、5kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器 Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21540A-Q1

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 6 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 6 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3

UCC21540-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21540-Q1 器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：可通过电阻器编程的死区时间；通过禁用功能同时关闭两路输出；以及在输入引脚上对高达 -5V 的尖峰进行 50ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC21540-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21540-Q1 器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：可通过电阻器编程的死区时间；通过禁用功能同时关闭两路输出；以及在输入引脚上对高达 -5V 的尖峰进行 50ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
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* 数据表 UCC21540-Q1 具有 3.3mm 通道间距选项的 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 10月 2日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 2024年 2月 29日
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019年 7月 22日

设计和开发

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UCC21540EVM — 具有 3.3mm 通道间距的 5.0kVrms 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21540EVM 适用于评估 UCC21540，后者是一种具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作功率 MOSFET 的驱动参考设计，具备高达 18V 的驱动电压、UCC21540 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。
用户指南: PDF
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  • 制造厂地点
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