UCC21737-Q1
- 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
- 器件温度等级 0:-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型
- 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 270 ns 快速响应时间的过流保护
- 外部有源米勒钳位
- 发生故障时的 900mA 软关断
- 隔离侧的 ASC 输入,用于在系统故障期间打开电源开关
- 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
- 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO 和 -3V VEE UVLO(具有电源正常指示功能)
- 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
- 130 ns(最大)传播延迟和 30 ns(最大)脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
UCC21737-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 该器件具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。
UCC21737-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为)和稳健性。可以利用 ASC 功能在系统故障事件期间强制打开电源开关,从而进一步提高驱动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。
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可提供功能安全手册以及功能安全时基故障率和引脚 FMA 报告。立即申请
技术文档
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* | 数据表 | UCC21737-Q1 适用于 SiC/IGBT 并具有主动保护和高 CMTI 的 10A 拉电流和灌电流增强型隔离式汽车单通道栅极驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 最新英语版本 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 1月 31日 |
证书 | UCC217xx/-Q1 CQC Certificate of Product Certification | 2023年 6月 7日 |
设计和开发
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评估板
UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块
UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
用户指南: PDF
模拟工具
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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