UCC28C57H-Q1

Name: UCC28C57H-Q1
Brand: TI
SKU: UCC28C57H-Q1
Price: 0.631 USD

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汽车类 30V 低功耗电流模式 PWM 控制器，适用于 SiC，18.8V/15.5V UVLO，50% 占空比

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Operating temperature range (°C)

-40 to 150

Control mode

Current

Topology

Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC

Rating

Automotive

Features

Adjustable switching frequency, Current limiting, Dead time control, Error amplifier, Fixed frequency, Multi-topology, Programmable max duty cycle

Duty cycle (max) (%)

TI functional safety category

Functional Safety-Capable

Operating temperature range (°C)

-40 to 150

Control mode

Current

Topology

Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC

Rating

Automotive

Features

Adjustable switching frequency, Current limiting, Dead time control, Error amplifier, Fixed frequency, Multi-topology, Programmable max duty cycle

Duty cycle (max) (%)

TI functional safety category

Functional Safety-Capable

SOIC (D)

29.4 mm² 4.9 x 6

支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
30V VDD 绝对最大电压
1MHz 最大固定频率工作
50µA 启动电流，最大值 75µA
低工作电流：1.3mA（f OSC = 52kHz）
高工作 T J：150°C（最大值）
35ns 快速逐周期过流限制
峰值驱动电流为 ±1A
轨到轨输出：
- 25ns 上升时间
- 20ns 下降时间
精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代米6体育平台手机版_好二三四
提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
- 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
- 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V

支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
30V VDD 绝对最大电压
1MHz 最大固定频率工作
50µA 启动电流，最大值 75µA
低工作电流：1.3mA（f OSC = 52kHz）
高工作 T J：150°C（最大值）
35ns 快速逐周期过流限制
峰值驱动电流为 ±1A
轨到轨输出：
- 25ns 上升时间
- 20ns 下降时间
精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代米6体育平台手机版_好二三四
提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
- 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
- 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V

UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

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用户指南: PDF | HTML

英语版 (Rev.C): PDF | HTML