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DRV5012

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低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器

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Type Latch Operate point (typ) (mT) 2 Operate point (max) (mT) 3.3 Release point (min) (mT) -3.3 Supply current (µA) 1.3, 142 Bandwidth (kHz) 0.02, 2.5 Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output Push-Pull output driver
Type Latch Operate point (typ) (mT) 2 Operate point (max) (mT) 3.3 Release point (min) (mT) -3.3 Supply current (µA) 1.3, 142 Bandwidth (kHz) 0.02, 2.5 Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output Push-Pull output driver
X2SON (DMR) 4 1.54 mm² 1.4 x 1.1
  • 行业领先的低功耗特性
  • 可通过引脚选择的采样率：
    • SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
    • SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
  • VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
  • 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
  • 可靠磁滞：4mT（典型值）
  • 推挽式 CMOS 输出
  • 小型纤薄 X2SON 封装
  • 运行温度范围：–40°C 至 +85°C
  • 行业领先的低功耗特性
  • 可通过引脚选择的采样率：
    • SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
    • SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
  • VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
  • 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
  • 可靠磁滞：4mT（典型值）
  • 推挽式 CMOS 输出
  • 小型纤薄 X2SON 封装
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DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型 X2SON 封装。

DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型 X2SON 封装。
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用户指南: PDF
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
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