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TMAG5170D-Q1

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具有 SPI 接口的汽车类高精度 3D 线性霍尔效应双芯片传感器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Type 3-Axis linear Interface type SPI Sensitivity error (%) 2.5 Sample rate (ksps) 20 Supply voltage (min) (V) 2.3 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Compliant Operating temperature range (°C) -40 to 150
Type 3-Axis linear Interface type SPI Sensitivity error (%) 2.5 Sample rate (ksps) 20 Supply voltage (min) (V) 2.3 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Compliant Operating temperature range (°C) -40 to 150
TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • 3D 霍尔效应传感器性能：
    • X 轴与 Y 轴之间的灵敏度失配热漂移：±2.3%（最大值）
    • X-Y 角度热漂移：±1.2°（最大值）
    • 单轴转换率为 20kSPS
  • 具有垂直对齐检测元件的完全隔离式双芯片
  • 符合功能安全标准：
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 0：–40°C 至 150°C
  • 可配置的 10MHz 串行外设接口 (SPI)，具有循环冗余校验 (CRC)
  • 内置温度传感器和多种磁体类型补偿
  • 独立可选 X、Y 和 Z 范围：
    • TMAG5170DA1-Q1：±25，±50，±100mT
    • TMAG5170DA2-Q1：±75，±150，±300mT
  • 仅消耗 1.5µA、可实现阈值检测的自主唤醒和睡眠模式
  • 集成数字滤波器，集成了高达 32 倍的传感器数据
  • 通过 ALERT、CS 或 SPI 通信触发转换
  • 电源电压范围：2.3V 至 5.5V
  • 3D 霍尔效应传感器性能：
    • X 轴与 Y 轴之间的灵敏度失配热漂移：±2.3%（最大值）
    • X-Y 角度热漂移：±1.2°（最大值）
    • 单轴转换率为 20kSPS
  • 具有垂直对齐检测元件的完全隔离式双芯片
  • 符合功能安全标准：
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 0：–40°C 至 150°C
  • 可配置的 10MHz 串行外设接口 (SPI)，具有循环冗余校验 (CRC)
  • 内置温度传感器和多种磁体类型补偿
  • 独立可选 X、Y 和 Z 范围：
    • TMAG5170DA1-Q1：±25，±50，±100mT
    • TMAG5170DA2-Q1：±75，±150，±300mT
  • 仅消耗 1.5µA、可实现阈值检测的自主唤醒和睡眠模式
  • 集成数字滤波器，集成了高达 32 倍的传感器数据
  • 通过 ALERT、CS 或 SPI 通信触发转换
  • 电源电压范围：2.3V 至 5.5V

TMAG5170D-Q1 是一款具有精密信号链的电气隔离式完全冗余、双芯片 3D 霍尔效应传感器。两个芯片垂直对齐，提供卓越的匹配输出结果，每个芯片均可独立配置，包括带温漂补偿的温度检测功能。支持多种测量类型，包括 1D 线性、2D 角度、3D 操纵杆和磁性阈值交叉应用。

TMAG5170D-Q1 包含高可靠性汽车和工业应用所需的片上诊断功能，包括内部和外部故障条件监控器。该器件支持唤醒模式和睡眠模式等多种电源选项，使设计人员能够根据系统级需求优化系统功耗。

集成角度计算引擎 (CORDIC) 通过磁增益和偏移校正为同轴和离轴角度测量提供 360° 全方位角度位置信息，以减轻系统机械误差源的影响。集成式 ALERT 功能可用于通过传感器转换、磁性阈值交叉或功能安全违规生成中断。

TMAG5170D-Q1 是一款具有精密信号链的电气隔离式完全冗余、双芯片 3D 霍尔效应传感器。两个芯片垂直对齐，提供卓越的匹配输出结果，每个芯片均可独立配置，包括带温漂补偿的温度检测功能。支持多种测量类型，包括 1D 线性、2D 角度、3D 操纵杆和磁性阈值交叉应用。

TMAG5170D-Q1 包含高可靠性汽车和工业应用所需的片上诊断功能，包括内部和外部故障条件监控器。该器件支持唤醒模式和睡眠模式等多种电源选项，使设计人员能够根据系统级需求优化系统功耗。

集成角度计算引擎 (CORDIC) 通过磁增益和偏移校正为同轴和离轴角度测量提供 360° 全方位角度位置信息，以减轻系统机械误差源的影响。集成式 ALERT 功能可用于通过传感器转换、磁性阈值交叉或功能安全违规生成中断。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TMAG5170DEVM — TMAG5170DEVM 高精度 3D 线性霍尔效应双裸片传感器评估模块

TMAG5170DEVM 评估模块 (EVM) 是一个易于使用的平台，用于评估双裸片 TMAG5170D 器件的主要特性和性能。该 EVM 包含图形用户界面 (GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。此外，该 EVM 还包含一个 3D 打印旋转和推送模块，用于测试单个器件的角度测量和按钮的常用功能。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
固件

TMAG5170-CODE-EXAMPLE — TMAG5170 and TMAG5170-Q1 C code example

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硬件开发
评估板
TMAG5170UEVM — TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器评估模块
下载选项
计算工具

SBAR012 — Angle Error Calculator for Linear 3D Hall-effect Sensors

Angle Error Calculator for Linear 3D Hall-effect Sensors
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TMAG5170 — 具有 SPI 总线接口的高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170-Q1 — 具有 SPI 总线接口的汽车级高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5273 — 具有 I²C 接口的低功耗线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5173-Q1 — 具有 I²C 接口的汽车级高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG3001 — 采用 Wafer Chip-Scale Package、具有 I²C 和可编程开关的三轴线性霍尔效应传感器 TMAG5170D-Q1 — 具有 SPI 接口的汽车类高精度 3D 线性霍尔效应双芯片传感器
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模拟工具

TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR — TI Magnetic sensing simulation tool

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霍尔效应锁存器和开关
DRV5011 — 小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5012 — 低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5013 — 高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 DRV5013-Q1 — 汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 DRV5015 — 高灵敏度 (±2mT)、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5015-Q1 — 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5021 — 低电压（最高 5.5V）、高带宽（高达 30kHz）单极开关 DRV5021-Q1 — 汽车类 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关 DRV5023 — 高电压（高达 38V）、高带宽（高达 30kHz）单极开关 DRV5023-Q1 — 汽车类 2.7V 至 38V 霍尔效应单极开关 DRV5032 — 低功耗（5Hz，<1µA) low-voltage (up to 5.5V) switch DRV5033 — 高电压（高达 38V）、高带宽（高达 30kHz）全极开关 DRV5033-Q1 — 汽车类 2.7V 至 38V 霍尔效应全极开关 TMAG5110 — 高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 TMAG5110-Q1 — 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 TMAG5111 — 高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器 TMAG5111-Q1 — 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器 TMAG5115 — 具有低抖动（快速响应）的高速霍尔效应锁存器 TMAG5123 — 高压（高达 38V）、平面高精度开关 TMAG5123-Q1 — 汽车类平面、高精度、高压开关 TMAG5124 — 双线（电流输出）、高压（高达 38V）、高精度遥感开关 TMAG5124-Q1 — 汽车类 2 线高压（高达 38V）、高精度开关 TMAG5131-Q1 — 汽车类低功耗（10Hz，1µA）低电压（低至 1.65V）霍尔效应开关 TMAG5213 — 适用于低成本应用的高带宽 (30kHz)、高电压 (26V) 霍尔效应锁存器 TMAG5231 — 低功耗、低压（1.65V 至 5.5V）霍尔效应开关 TMAG5233 — 平面（X 轴）霍尔效应开关 TMAG5328 — 电阻器可调节的低功耗霍尔效应开关
线性霍尔效应传感器
DRV5053 — 高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器 DRV5053-Q1 — 汽车类、高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器 DRV5055 — 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器 DRV5055-Q1 — 具有模拟输出的汽车级、比例式线性霍尔效应传感器 DRV5056 — 具有模拟输出的比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5056-Q1 — 具有模拟输出的汽车类、比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5057 — 具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器 DRV5057-Q1 — 具有数字 PWM 输出的汽车类线性霍尔效应传感器 TMAG5253 — 具有使能引脚、采用超小型 X2SON 封装的低功耗线性霍尔效应传感器
多轴线性和角度位置传感器
TMAG3001 — 采用 Wafer Chip-Scale Package、具有 I²C 和可编程开关的三轴线性霍尔效应传感器 TMAG5170 — 具有 SPI 总线接口的高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170-Q1 — 具有 SPI 总线接口的汽车级高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170D-Q1 — 具有 SPI 接口的汽车类高精度 3D 线性霍尔效应双芯片传感器 TMAG5173-Q1 — 具有 I²C 接口的汽车级高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5273 — 具有 I²C 接口的低功耗线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG6180-Q1 — 具有 360° 角度范围的汽车级高精度模拟 AMR 角度传感器 TMAG6181-Q1 — 具有集成匝数计数器的汽车级高精度模拟 AMR 角度传感器
硬件开发
评估板
DRV5011-5012EVM — DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块 DRV5032-SOLAR-EVM — DRV5032 超低功耗、1.65V 至 5.5V 霍尔效应开关传感器评估模块 DRV5055-5057EVM — DRV5055、DRV5056 和 DRV5057 线性霍尔效应传感器评估模块 DRV5055-ANGLE-EVM — DRV5055 角度评估模块 DRV5055EVM — DRV5055 评估模块 HALL-ADAPTER-EVM — 霍尔传感器分线适配器评估模块 HALL-HINGE-EVM — 适用于 TMAG5231 霍尔效应铰链的评估模块 HALL-HMI-ROCKER-EVM — 适用于具有霍尔效应开关的人机界面 (HMI) 翘板开关的评估模块 HALL-TRIGGER-EVM — 适用于非接触式霍尔效应变速触发器、具有外部磁场保护的评估模块 LDC-HALL-HMI-EVM — 适用于电感触控和磁旋钮非接触式用户接口设计的评估模块 TMAG3001EVM — TMAG3001 具有 I²C 和可编程开关的三轴线性霍尔效应传感器评估模块 TMAG5110-5111EVM — TMAG511x 高灵敏度 2D 双通道霍尔效应锁存器评估模块 TMAG5115EVM — TMAG5115 具有高灵敏度、低抖动和高电压的霍尔效应锁存器评估模块 TMAG5123EVM — TMAG5123 平面内高精度霍尔效应开关评估模块 TMAG5124EVM — TMAG5124 双线霍尔效应开关评估模块 TMAG5170DEVM — TMAG5170DEVM 高精度 3D 线性霍尔效应双裸片传感器评估模块 TMAG5170UEVM — TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5173EVM — TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车级、高精度、线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5253EVM — TMAG5253 低功耗线性霍尔效应传感器评估模块 TMAG5273EVM — TMAG5273 I²C 接口、低功耗线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5328EVM — 适用于 TMAG5328 电阻器可调节低功耗霍尔效应开关的评估模块 TMAG6180-6181EVM — 具有差分正弦和余弦模拟输出的 TMAG6180 和 TMAG6181 评估模块
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  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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