LM2105
- 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
- 集成式自举二极管
- 5-V GVDD 上的典型欠压锁定
- BST 上的最大绝对电压为 107V
- SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
- 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
- 115ns 典型传播延迟
LM2105 是一款紧凑型高压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 集成的自举二极管无需使用外部分立式二极管,从而节省布板空间并降低系统成本。
SH 引脚具有–1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力,可提升高噪声应用中的系统稳健性。 该器件采用小型热增强型 8 引脚 WSON 封装,可将驱动器放置在更靠近电机相位的位置,从而改善 PCB 布局。 LM2105 还采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能,以在上电和断电期间提供保护。
技术文档
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查看全部 4 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | LM2105 具有 5V UVLO 和集成式自举二极管的107V、0.5A、0.8A 半桥驱动器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 10月 9日 |
应用手册 | 如何为直流电机驱动器选择栅极驱动器 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 10月 6日 | |
EVM 用户指南 | 使用 LM2105EVM | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 4月 5日 | |
证书 | LM2105EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 2月 1日 |
设计和开发
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模拟工具
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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