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理想二极管/ORing 控制器

LM66100-Q1

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具有集成式 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5µA IQ 理想二极管

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V) 1.5 Vin (max) (V) 5.5 Number of channels 1 Features Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.00015 Iq (max) (mA) 0.0003 FET Integrated single FET Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) 46 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 1.5 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00012 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 1.5 Vin (max) (V) 5.5 Number of channels 1 Features Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.00015 Iq (max) (mA) 0.0003 FET Integrated single FET Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) 46 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 1.5 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00012 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 宽工作电压范围：1.5V 至 5.5V
  • VIN 反向关断电压： 绝对最大值为 –6V
  • 最大持续电流 (IMAX)：1.5A
  • 导通电阻 (RON)：
    • 5V VIN = 79mΩ（典型值）
    • 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
    • 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
  • 启用比较器芯片 (CE)
  • 通道状态指示 (ST)
  • 低电流消耗：
    • 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN)：120nA（典型值）
    • 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 宽工作电压范围：1.5V 至 5.5V
  • VIN 反向关断电压： 绝对最大值为 –6V
  • 最大持续电流 (IMAX)：1.5A
  • 导通电阻 (RON)：
    • 5V VIN = 79mΩ（典型值）
    • 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
    • 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
  • 启用比较器芯片 (CE)
  • 通道状态指示 (ST)
  • 低电流消耗：
    • 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN)：120nA（典型值）
    • 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）

LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管，是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持续电流。

该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时，该器件被禁用并且 MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时，MOSFET 开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能，可保护器件不受输入接线错误的影响，例如电池装反。

可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件，其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中，该器件将最高输入电压传递到输出端，同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可比较输入和输出电压，从而确保内部电压比较器成功阻断反向电流。

LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装，工作结温范围为 –40°C 至 150°C。

LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管，是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持续电流。

该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时，该器件被禁用并且 MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时，MOSFET 开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能，可保护器件不受输入接线错误的影响，例如电池装反。

可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件，其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中，该器件将最高输入电压传递到输出端，同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可比较输入和输出电压，从而确保内部电压比较器成功阻断反向电流。

LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装，工作结温范围为 –40°C 至 150°C。
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* 数据表 LM66100-Q1 具有输入极性保护功能的 5.5V、1.5A、79mΩ、汽车类低 IQ 理想二极管 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 5月 4日

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评估板

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The LM66100 evaluation module (EVM) is an assembled and tested circuit for evaluating the LM66100 ideal diode. The LM66100EVM allows the user to apply different input voltages (1.5 V to 5.5 V) under different loading conditions (0 A to 1.5 A), and evaluate configurations such as Dual ORing and (...)
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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