TLV713
- 有无电容器均可实现稳定运行
- 折返过流保护
- 封装：
- 1mm × 1mm 4 引脚 X2SON
- 5 引脚 SOT-23
- 超低压降：150mA 时为 230mV
- 准确度：1%
- 低 IQ：50µA
- 输入电压范围：1.4V 至 5.5V
- 可提供固定输出电压：
1V 至 3.3V - 高 PSRR：1kHz 时为 65dB
- 有源输出放电（仅限 P 版本）
TLV713 系列低压降 (LDO) 线性稳压器具有较低的静态电流，并且线路和负载瞬态性能出色，适用于功耗敏感型 应用。此类器件可提供典型值为 1% 的精度。
TLV713 系列器件经过设计，无需使用输出电容即可稳定运行。移除输出电容器可实现极小的解决方案尺寸。然而，如果使用了一个输出电容器，TLV713 系列也可与任何输出电容器实现稳定运行。
TLV713 还可在器件上电和使能期间提供浪涌电流控制。TLV713 将输入电流限制到已定义的电流限值来避免来自输入电源的大电流。这个功能对于电池供电类器件十分重要。
TLV713 系列采用标准的 DQN 和 DBV 封装。TLV713P 提供了有源下拉电路，用于对输出负载进行快速放电。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TLV713 面向便携式设备且具有折返电流限制的无电容 150mA 低压降稳压器 数据表 (Rev. F) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.F) | PDF | HTML | 2019年 10月 10日 |
| 选择指南 | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) | 2018年 3月 21日 | ||||
| 选择指南 | 低压降稳压器快速参考指南 (Rev. M) | 最新英语版本 (Rev.P) | 2017年 1月 5日 |
设计和开发
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参考设计
PMP22951 — 具有有源钳位的 54V、3kW 相移全桥参考设计
该参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB) 转换器。此设计在次级侧使用了有源钳位来最大限度地减小同步整流器 (SR) MOSFET 上的电压应力，从而支持使用具有更优品质因数 (FOM) 的较低电压等级 MOSFET。PMP22951 在初级侧使用 30mΩ GaN，并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通过使用 TMS320F280049C 实时微控制器，可实现 PSFB 控制。PSFB 转换器在 140kHz 开关频率下运行，可在 385V 输入下实现 97.45% 的峰值效率。
测试报告: PDF
参考设计
TIDA-00300 — 隔离式同步串行通信模块
此参考设计提供了隔离 I2C 或 SPI 通信线路的方法。电网基础设施应用中通常需要这种隔离，例如涉及高压的保护继电器和断路器。此参考设计提供电源隔离和信号隔离。
参考设计
TIDM-1007 — 交错式 CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计
交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件，由于具有电源效率高和尺寸减小的特点，因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率，此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间。
参考设计
TIDM-02008 — 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC
此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级，采用 C2000™ 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的 LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流（PFC 和并网逆变器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间提高效率，通过输入电容补偿方案提高轻负载下的功率因数，并借助非线性电压环降低 PFC 模式下的瞬态电压尖峰。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| X2SON (DQN) | 4 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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