TPS22920
- 输入电压范围：0.75V 至 3.6V
- 集成导通场效应晶体管 (FET)
RDSON= 2mΩ（典型值），此时 V输入= 3.6V - 超低导通电阻
- V输入 = 3.6V 时，r导通 = 5.3mΩ
- V输入 = 2.5V 时，r导通 = 5.4mΩ
- V输入 = 1.8V 时，r导通 = 5.5mΩ
- V输入 = 1.2V 时，r导通 = 5.8mΩ
- V输入 = 1.05V 时，r导通 = 6.1mΩ
- V输入 = 0.75V 时，r导通 = 7.3mΩ
- 超小型 8 引脚芯片级封装（芯片级球栅阵列封装 (DSBGA)）0.9mm x 1.9mm，焊球间距 0.5mm
- 4A 最大持续开关电流
- 关断电流最大值 5.5µA
- 低阀值 (1.2V) 通用输入输出 (GPIO) 控制输入
- 受控转换率以避免涌入电流
- 快速输出放电 (QOD) 晶体管
- 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 标准
- 4000V 人体模型
（A114-B，II 类） - 1000V 充电器件模型 (C101)
- 4000V 人体模型
应用范围
- ThunderboltTM
- 固态硬盘 (SSD)
- 笔记本/超薄
- 平板个人电脑
- 智能手机
- 便携式 GPS 器件
- MP3 播放器
TPS22920L 是一款小型，超低 R导通负载开关，此开关具有可控接通功能。 此器件包含一个 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，此 MOSFET 可运行在 0.75V 至 3.6V 的输入电压范围内，并且开关电流高达 4A。一个集成的电荷泵把 NMOS 开关偏置，以实现一个最小的开关导通电阻（R导通）。 此开关可由一个打开/关闭输入 (ON) 控制，此输入可与低压控制信号直接对接。
TPS22920L 包含一个 1250Ω 片上负载电阻器用于在此开关被关闭时进行快速输出放电。
TPS22920L 有一个内部受控上升时间来减少涌入电流。 电压为 3.6V 时，TPS22920L 特有一个 627µs 的上升时间。
TPS22920L 采用超小型、节省空间的 8 引脚芯片级封装并可在 -40°C 至 85°C 的自然通风温度范围内运行。
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设计和开发
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