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TPS51200-Q1
- 符合汽车类 标准
- AEC-Q100 测试指导结果如下：的顶部
- 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 –40°C 至 125°C
- 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
- VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
- 具有压降补偿功能的灌电流/拉电流终端稳压器
- 所需最小输出电容为 20µF（通常为 3 × 10µF MLCC），用于存储器终端 应用 (DDR)
- 用于监视输出稳压的 PGOOD
- EN 输入
- REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
- 远程感测 (VOSNS)
- ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
- 内置软启动、UVLO 和 OCL
- 热关断
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范；支持 DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
- 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装
TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。
TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。
此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。
TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS51200-Q1 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2018年 7月 24日 |
| 应用手册 | DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) | 2020年 7月 9日 | ||||
| 技术文章 | Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications | PDF | HTML | 2017年 6月 22日 | |||
| 应用手册 | Pwr Ref Design f/'C6472 12-Vin Digital Pwr Controllers and LDOs | 2010年 4月 28日 | ||||
| 应用手册 | Power Two Xilinx(TM) LX240 Virtex-6(TM) Devices | 2010年 4月 20日 | ||||
| 应用手册 | Power Ref Design for TMS320C6472 5Vin DC/DC Converters (1x C6472) | 2010年 3月 31日 | ||||
| 应用手册 | 'C6472 12Vin Flexible Pwr Design Using DCDC Controllers and LDOs (8x C6472) | 2010年 3月 26日 | ||||
| 应用手册 | Power Reference Design for the 'C6472, 12V DCDC Controllers, and LDOs | 2010年 3月 26日 | ||||
| 应用手册 | TMS320C6472 5V Input Pwr Design, Integrated FET DC/DC Converters and Controllers | 2010年 3月 26日 |
设计和开发
电源解决方案
了解包含 TPS51200-Q1 的解决方案。TI 提供适用于 TI 和非 TI 片上系统 (SoC)、处理器、微控制器、传感器和现场可编程门阵列 (FPGA) 的电源解决方案。
评估板
TPS51200EVM — TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格，并具有超少的外部元件。
用户指南: PDF
仿真模型
TPS51200 TINA-TI Start-Up Transient Reference Design
SLUM148.TSC (127 KB) - TINA-TI Reference Design
参考设计
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参考设计
TIDA-00801 — 脱离电池运行的汽车类信息娱乐系统处理器电源参考设计
The TIDA-00801 reference design is a full off-battery to point of load power solution supporting input voltages as low as 2V. It uses the Boost plus Buck DC/DC regulator TPS43330A-Q1 supporting an input voltage range of 2V to 40V and allowing the design to support not only (...)
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TIDA-00346 — 面向基于入门级 TDA3x SoC 的 ADAS 系统的成本优化型电源解决方案
TIDA-00346 设计为汽车先进驾驶员辅助系统 (ADAS) 应用中的典型入门级应用处理器提供电源轨。该设计使用多个单独的直流/直流电压稳压器以及负载开关和线性稳压器 (LDO) 提供用于处理片上系统 (SoC) 的内核和其他功能所需的固定电源电压。此外还实施了 DDR 内存电源和终端的电源轨以及 CAN 收发器。两个 LM3880 简单电源序列发生器分别提供加电和断电定序。此设计已针对汽车应用进行优化，可以在 4V 至 18V（瞬态高达 40V）的输入电压下工作。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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