TPS795

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具有使能功能的 500mA、低压降稳压器

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Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.5 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.7 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.6, 1.8, 2.5, 3, 3.3 Noise (µVrms) 33 Iq (typ) (mA) 0.26 Thermal resistance θJA (°C/W) 46.8, 48, 74.0 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable Accuracy (%) 2 PSRR at 100 KHz (dB) 40 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 110 Operating temperature range (°C) -40 to 125
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SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 具有使能端的 500mA 低压降稳压器
  • 提供固定电压和可调节电压(1.2V 至 5.5V)两种版本
  • 高 PSRR(频率为 10kHz 时为 50dB)
  • 超低噪声(33µVRMS,TPS79530)
  • 启动时间快 (50µs)
  • 与 1µF 陶瓷电容器一起工作时保持稳定
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 低压降电压(满负载时为 110mV,TPS79530)
  • 6 引脚 SOT-223 和 3mm × 3mm VSON 封装
  • 具有使能端的 500mA 低压降稳压器
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  • 低压降电压(满负载时为 110mV,TPS79530)
  • 6 引脚 SOT-223 和 3mm × 3mm VSON 封装

TPS795 系列低压降 (LDO) 低功耗线性稳压器 具有 高电源抑制比 (PSRR)、超低噪声、快速启动能力以及出色的线性和负载瞬态响应,并采用小型 6 引脚 SOT-223 和 3mm × 3mm VSON 封装。该系列的每一款器件在输出端都使用小型 1µF 陶瓷电容器实现稳定运行。该系列使用先进的专有 BiCMOS 制造工艺,能够产生极低压降的电压(例如 500mA 时为 110mV)。每一款器件都可实现快速启动时间(使用一个 0.001µF 旁路电容器时大约为 50µs),同时消耗非常低的静态电流(典型值 265µA)。而且,当此器件处于待机模式时,电源电流减少到低于 1µA。在使用一个 0.1µF 旁路电容器的 3V 输出下,TPS79530 器件的输出电压噪声大约为 33µVRMS。采用 对噪声敏感的模拟组件的应用,例如便携式射频电子器件,将受益于高 PSRR 和低噪声 特性以及快速响应时间。

 

 

TPS795 系列低压降 (LDO) 低功耗线性稳压器 具有 高电源抑制比 (PSRR)、超低噪声、快速启动能力以及出色的线性和负载瞬态响应,并采用小型 6 引脚 SOT-223 和 3mm × 3mm VSON 封装。该系列的每一款器件在输出端都使用小型 1µF 陶瓷电容器实现稳定运行。该系列使用先进的专有 BiCMOS 制造工艺,能够产生极低压降的电压(例如 500mA 时为 110mV)。每一款器件都可实现快速启动时间(使用一个 0.001µF 旁路电容器时大约为 50µs),同时消耗非常低的静态电流(典型值 265µA)。而且,当此器件处于待机模式时,电源电流减少到低于 1µA。在使用一个 0.1µF 旁路电容器的 3V 输出下,TPS79530 器件的输出电压噪声大约为 33µVRMS。采用 对噪声敏感的模拟组件的应用,例如便携式射频电子器件,将受益于高 PSRR 和低噪声 特性以及快速响应时间。

 

 

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频、500mA、低压降线性稳压器 数据表 (Rev. J) PDF | HTML 英语版 (Rev.J) PDF | HTML 2019年 7月 30日

设计和开发

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包含信息:
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  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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