UC1825-DIE

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航天级、30V 输入、1.5A 双路输出 1MHz PWM 控制器裸片

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Operating temperature range (°C) 25 to 25 Control mode Current Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Rating Space Features Error amplifier, Soft start, Synchronization pin Duty cycle (max) (%) 80
Operating temperature range (°C) 25 to 25 Control mode Current Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Rating Space Features Error amplifier, Soft start, Synchronization pin Duty cycle (max) (%) 80
DIESALE (TD) See data sheet
  • 抗辐射:30kRad (Si) 电离总剂量效应 (TID) 抗辐射性是基于初始器件鉴定剂量率等于每秒 10mrad 时的典型值。 提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。
  • 与电压或电流模式拓扑结构兼容
  • 实际运行开关频率
  • 到输出的 50ns 传播延迟
  • 高电流双推挽式输出
  • 宽带宽误差放大器
  • 支持双脉冲抑制的全锁存逻辑
  • 逐脉冲电流限制
  • 软启动/最大占空比控制
  • 带有滞后功能的欠压闭锁
  • 低启动电流

  • 抗辐射:30kRad (Si) 电离总剂量效应 (TID) 抗辐射性是基于初始器件鉴定剂量率等于每秒 10mrad 时的典型值。 提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。
  • 与电压或电流模式拓扑结构兼容
  • 实际运行开关频率
  • 到输出的 50ns 传播延迟
  • 高电流双推挽式输出
  • 宽带宽误差放大器
  • 支持双脉冲抑制的全锁存逻辑
  • 逐脉冲电流限制
  • 软启动/最大占空比控制
  • 带有滞后功能的欠压闭锁
  • 低启动电流

UC1825-DIE PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。 对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时,大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。 这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统,此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阀值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚,此引脚可对折为一个最大占空比钳位。 此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行,并且抑制了输出上的多脉冲。 一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。 欠压闭锁期间,输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出,此输出被设计用来拉、灌来自电容负载(诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极)的高峰值电流。 接通状态被设计为高电平。

UC1825-DIE PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。 对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时,大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。 这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统,此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阀值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚,此引脚可对折为一个最大占空比钳位。 此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行,并且抑制了输出上的多脉冲。 一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。 欠压闭锁期间,输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出,此输出被设计用来拉、灌来自电容负载(诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极)的高峰值电流。 接通状态被设计为高电平。

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* 数据表 抗辐射,高速脉宽调制(PWM) 控制器. 数据表 英语版 PDF | HTML 2013年 8月 6日

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