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UCC21550-Q1

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适用于 IGBT 且具有 DIS 和 DT 引脚的汽车级 4A/6A、5kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7070 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Disable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3

  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器

  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、 8V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用

  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器

  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、 8V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用

UCC21550-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。

UCC21550-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kV RMS 隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性， UCC21550-Q1 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21550-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。

UCC21550-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kV RMS 隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC21550x-Q1 汽车类4A、6A 增强型隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.D) PDF | HTML 2023年 11月 30日
证书 CQC Certificate for UCC21551xx 2024年 8月 27日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 2024年 2月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW（一种具备 4A 源电流容量和 6A 峰值灌电流容量的隔离式双通道栅极驱动器）。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计，具备 UCC21520 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.C): PDF | HTML
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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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