UCC28C56H-Q1

Name: UCC28C56H-Q1
Brand: TI
SKU: UCC28C56H-Q1
Price: 0.631 USD

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汽车类 30V 低功耗电流模式 PWM 控制器，适用于 SiC，18.8V/15.5V UVLO，100% 占空比

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Vin (min) (V)

Vin (max) (V)

Iout (max) (A)

Operating temperature range (°C)

-40 to 150

Control mode

Current

Topology

Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC

Rating

Automotive

Vout (min) (V)

Vout (max) (V)

Features

Adjustable switching frequency, Current limiting, Dead time control, Error amplifier, Fixed frequency, Multi-topology, Programmable max duty cycle

Iq (typ) (µA)

1300

Duty cycle (max) (%)

100

Number of phases

TI functional safety category

Functional Safety-Capable

Vin (min) (V)

Vin (max) (V)

Iout (max) (A)

Operating temperature range (°C)

-40 to 150

Control mode

Current

Topology

Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC

Rating

Automotive

Vout (min) (V)

Vout (max) (V)

Features

Adjustable switching frequency, Current limiting, Dead time control, Error amplifier, Fixed frequency, Multi-topology, Programmable max duty cycle

Iq (typ) (µA)

1300

Duty cycle (max) (%)

100

Number of phases

TI functional safety category

Functional Safety-Capable

SOIC (D)

29.4 mm² 4.9 x 6

支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
30V VDD 绝对最大电压
1MHz 最大固定频率工作
50µA 启动电流，最大值 75µA
低工作电流：1.3mA（f OSC = 52kHz）
高工作 T J：150°C（最大值）
35ns 快速逐周期过流限制
峰值驱动电流为 ±1A
轨到轨输出：
- 25ns 上升时间
- 20ns 下降时间
精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代米6体育平台手机版_好二三四
提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
- 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
- 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V

支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
30V VDD 绝对最大电压
1MHz 最大固定频率工作
50µA 启动电流，最大值 75µA
低工作电流：1.3mA（f OSC = 52kHz）
高工作 T J：150°C（最大值）
35ns 快速逐周期过流限制
峰值驱动电流为 ±1A
轨到轨输出：
- 25ns 上升时间
- 20ns 下降时间
精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代米6体育平台手机版_好二三四
提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
- 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
- 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V

UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

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	应用手册	High Density Auxiliary Power Supply Using a SiC MOSFET for 800-V Traction Invert	PDF \| HTML			2022年 7月 6日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

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用户指南: PDF | HTML

英语版 (Rev.C): PDF | HTML