DRV3245E-Q1

アクティブ

車載グレード 0、高精度電流センシング機能および強化済み保護機能搭載、12V バッテリ、3 相ゲート ドライバ ユニット

製品詳細

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 45 Features Current sense Amplifier, Phase Comparators, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 150 TI functional safety category Functional Safety-Compliant
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 45 Features Current sense Amplifier, Phase Comparators, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 150 TI functional safety category Functional Safety-Compliant
HTQFP (PHP) 48 81 mm² 9 x 9
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定取得済み
    • デバイス温度グレード 0:
      -40°C~+150°C、TA
  • SafeTI™半導体コンポーネント
    • ISO 26262 の該当する要件に従い開発
  • 4.5V~45V の動作電圧
  • 最大 1A のピーク・ゲート・ドライブ電流をプログラム可能
  • チャージ・ポンプ・ゲート・ドライバによる 100% デューティ・サイクル
  • 電流シャント・アンプと位相コンパレータ
    • A デバイス:3 つの電流シャント・アンプと、SPI 経由のステータス付き 3 相コンパレータ
    • B デバイス:2 つの電流シャント・アンプと、デジタル・ピンによるリアルタイム・モニタ付きの 3 相コンパレータ
  • 最高 20kHz の 3-PWM または 6-PWM 入力制御
  • 単一 PWM モード整流機能
  • 3.3V と 5V の両方のデジタル・インターフェイスをサポート
  • シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
  • 熱特性が強化された 48 ピン HTQFP
  • 保護機能
    • 内蔵レギュレータ、バッテリ電圧モニタ
    • SPI CRC
    • クロック・モニタ
    • アナログ組み込み自己テスト
    • プログラム可能なデッド・タイム制御
    • MOSFET 貫通電流防止
    • MOSFET VDS 過電流監視
    • ゲート・ソース電圧のリアルタイム監視
    • 過熱警告
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定取得済み
    • デバイス温度グレード 0:
      -40°C~+150°C、TA
  • SafeTI™半導体コンポーネント
    • ISO 26262 の該当する要件に従い開発
  • 4.5V~45V の動作電圧
  • 最大 1A のピーク・ゲート・ドライブ電流をプログラム可能
  • チャージ・ポンプ・ゲート・ドライバによる 100% デューティ・サイクル
  • 電流シャント・アンプと位相コンパレータ
    • A デバイス:3 つの電流シャント・アンプと、SPI 経由のステータス付き 3 相コンパレータ
    • B デバイス:2 つの電流シャント・アンプと、デジタル・ピンによるリアルタイム・モニタ付きの 3 相コンパレータ
  • 最高 20kHz の 3-PWM または 6-PWM 入力制御
  • 単一 PWM モード整流機能
  • 3.3V と 5V の両方のデジタル・インターフェイスをサポート
  • シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
  • 熱特性が強化された 48 ピン HTQFP
  • 保護機能
    • 内蔵レギュレータ、バッテリ電圧モニタ
    • SPI CRC
    • クロック・モニタ
    • アナログ組み込み自己テスト
    • プログラム可能なデッド・タイム制御
    • MOSFET 貫通電流防止
    • MOSFET VDS 過電流監視
    • ゲート・ソース電圧のリアルタイム監視
    • 過熱警告

DRV3245E-Q1 デバイスは、3 相モータ・ドライブ・アプリケーション用の FET ゲート・ドライバ IC です。このデバイスは車載高温アプリケーション用であり、ISO 26262 の機能安全性アプリケーションの該当する要件に従って設計されています。このデバイスには3つのハーフ・ブリッジ・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネルMOSFETを駆動でき、同時にFETの洗練された保護および監視機能を持っています。チャージ・ポンプ・ドライバにより100%のデューティ・サイクルが可能になり、コールド・クランク動作時に低いバッテリ電圧をサポートします。電流センス・アンプの統合、位相コンパレータの内蔵、SPI ベースの構成により、ほとんどの外付け受動部品が不要になるため、部品表 (BOM) とプリント基板 (PCB) 面積を削減できます。

また、DRV3245E-Q1デバイスには各内部ブロックの診断および保護機能が搭載されており、一般的なシステム診断チェックがサポートされています。これらの各診断機能はSPIから開始でき、SPI経由で報告されます。これらの内蔵機能の柔軟性から、このデバイスは広範な安全性アーキテクチャとシームレスに統合できます。

DRV3245E-Q1 デバイスは、3 相モータ・ドライブ・アプリケーション用の FET ゲート・ドライバ IC です。このデバイスは車載高温アプリケーション用であり、ISO 26262 の機能安全性アプリケーションの該当する要件に従って設計されています。このデバイスには3つのハーフ・ブリッジ・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネルMOSFETを駆動でき、同時にFETの洗練された保護および監視機能を持っています。チャージ・ポンプ・ドライバにより100%のデューティ・サイクルが可能になり、コールド・クランク動作時に低いバッテリ電圧をサポートします。電流センス・アンプの統合、位相コンパレータの内蔵、SPI ベースの構成により、ほとんどの外付け受動部品が不要になるため、部品表 (BOM) とプリント基板 (PCB) 面積を削減できます。

また、DRV3245E-Q1デバイスには各内部ブロックの診断および保護機能が搭載されており、一般的なシステム診断チェックがサポートされています。これらの各診断機能はSPIから開始でき、SPI経由で報告されます。これらの内蔵機能の柔軟性から、このデバイスは広範な安全性アーキテクチャとシームレスに統合できます。

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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

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購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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